Titre :	Etude des composés semi-conducteurs ternaires à structure chalcopyrite
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Hannani, Ahmed, Auteur ; Rebbah, A., Directeur de thèse
Editeur :	Bab Ezzouar : [s.n.]
Année de publication :	1985
Importance :	78 f.
Présentation :	ill.
Format :	27 cm.
Note générale :	Mémoire de Magister : Chimie des matériaux : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985 Bibliogr. f [3]
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Structure chalcopyrite Cristallogénèse Composés semi-conducteurs Radiocristallographie Microscopie -- électronique
Index. décimale :	M006385
Résumé :	Notre étude portera principalement sur les propriétés électriques d'une des principales familles des composés ternaires de structure chalcopyrite de formule générale II-IV-V2 qui sont des semi-conducteurs. Dans la famille II-IV-V2, nous avons porté un grand intérêt au composé Cd GeAs, qui est un représentant typique. En effet il est un candidat potentiellement important pour les applications en optique non linéaire. Nous avons jugé utile de scinder cette étude en trois parties: - La première partie est consacrée à une étude théorique de la structure chalcopyrite. - La deuxième partie est basée essentiellement sur une étude pour l'amélioration des conditions de cristallogénèse pour obtenir des cristaux massifs et de meilleure qualité optique. - La troisième partie est consacrée à l'étude des propriétés électriques (Effet Hall, conductivité, mobilité et l'effet Seebeck) du composé Cd Ge As2.

Etude des composés semi-conducteurs ternaires à structure chalcopyrite [texte imprimé] / Hannani, Ahmed, Auteur ; Rebbah, A., Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1985 . - 78 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Chimie des matériaux : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985
Bibliogr. f [3]
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Structure chalcopyrite Cristallogénèse Composés semi-conducteurs Radiocristallographie Microscopie -- électronique
Index. décimale :	M006385
Résumé :	Notre étude portera principalement sur les propriétés électriques d'une des principales familles des composés ternaires de structure chalcopyrite de formule générale II-IV-V2 qui sont des semi-conducteurs. Dans la famille II-IV-V2, nous avons porté un grand intérêt au composé Cd GeAs, qui est un représentant typique. En effet il est un candidat potentiellement important pour les applications en optique non linéaire. Nous avons jugé utile de scinder cette étude en trois parties: - La première partie est consacrée à une étude théorique de la structure chalcopyrite. - La deuxième partie est basée essentiellement sur une étude pour l'amélioration des conditions de cristallogénèse pour obtenir des cristaux massifs et de meilleure qualité optique. - La troisième partie est consacrée à l'étude des propriétés électriques (Effet Hall, conductivité, mobilité et l'effet Seebeck) du composé Cd Ge As2.