| Titre : |
Realisation et caracterisation de deux structures Sn O2/Si et Sn O2/Si(N+) Si (p) en vue d une etude photovoltaique comparative |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Khelifa Messaoud, Auteur ; Fellah, M., Directeur de thèse |
| Editeur : |
Bab Ezzouar : [s.n.] |
| Année de publication : |
1985 |
| Importance : |
106 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene : 1985
Bibliogr. f. 104 - 106 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Recherches actuelles
Photovoltaiques
Silicium-oxyde |
| Index. décimale : |
M008185 |
| Résumé : |
L'objectif essentiel des recherches actuelles sur les cellules photovoltaiques vise à la fois l'amélioration de leurs rendements de conversion et la réduction de leur cout de fabrication.
Parmi les solutions envisagées, l'une des plus prometteuses est la réalisation de cellules solaires à structure multi-couches.
Notre travail port sur la réalisation d'une structure à quatre couches (oxyde d'étain (N+)-silicium (N+)-silicium (p) - silicium (p+)) obtenue par des procédés technologiques simples. |
Realisation et caracterisation de deux structures Sn O2/Si et Sn O2/Si(N+) Si (p) en vue d une etude photovoltaique comparative [texte imprimé] / Khelifa Messaoud, Auteur ; Fellah, M., Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1985 . - 106 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumediene : 1985
Bibliogr. f. 104 - 106 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Recherches actuelles
Photovoltaiques
Silicium-oxyde |
| Index. décimale : |
M008185 |
| Résumé : |
L'objectif essentiel des recherches actuelles sur les cellules photovoltaiques vise à la fois l'amélioration de leurs rendements de conversion et la réduction de leur cout de fabrication.
Parmi les solutions envisagées, l'une des plus prometteuses est la réalisation de cellules solaires à structure multi-couches.
Notre travail port sur la réalisation d'une structure à quatre couches (oxyde d'étain (N+)-silicium (N+)-silicium (p) - silicium (p+)) obtenue par des procédés technologiques simples. |
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M000100 
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