Titre : |
Etude structurale et téxturale des gelsa base de silice aux cours d'un traitement thermique |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
D. Benaissa, Auteur ; D. Lyakov, Directeur de thèse |
Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
Année de publication : |
1984 |
Importance : |
[95] f. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Note générale : |
Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Génie Chimique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1984
Bibliogr. f. [93 - 95] |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Traitement thermique Le gels monolithique de silice Etude structurale et téxturale des gelsa |
Index. décimale : |
PC00384 |
Résumé : |
Les gels monolithiques de silice ont été préparés par déstabilisation d'une solution colloïdale de silicate de sodium. L'évolution structurale et textura-le des gels en fonction de la température ont été étudié par les méthodes ATD. Rayon X T?R-spectroscopie, et en même temps avec la mesure de densité et de surface spécifique. Le contenue totale en eau dans le gels diminue, et les groupes Si-0 associés avec la présence des oxygènes non-portant disparaissent, avec l'augmentation de la température. |
Etude structurale et téxturale des gelsa base de silice aux cours d'un traitement thermique [texte imprimé] / D. Benaissa, Auteur ; D. Lyakov, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1984 . - [95] f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Génie Chimique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1984
Bibliogr. f. [93 - 95] Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Traitement thermique Le gels monolithique de silice Etude structurale et téxturale des gelsa |
Index. décimale : |
PC00384 |
Résumé : |
Les gels monolithiques de silice ont été préparés par déstabilisation d'une solution colloïdale de silicate de sodium. L'évolution structurale et textura-le des gels en fonction de la température ont été étudié par les méthodes ATD. Rayon X T?R-spectroscopie, et en même temps avec la mesure de densité et de surface spécifique. Le contenue totale en eau dans le gels diminue, et les groupes Si-0 associés avec la présence des oxygènes non-portant disparaissent, avec l'augmentation de la température. |
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