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Power Converter EMI Analysis Including IGBT Nonlinear Switching Transient Model / Jin, Meng in IEEE transactions on industrial electronics, Vol. 53 N° 5 (Octobre 2006) 

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on industrial electronics > Vol. 53 N° 5 (Octobre 2006) . - 1577-1583 p. Titre : Power Converter EMI Analysis Including IGBT Nonlinear Switching Transient Model Titre original : Analyse d'IEM de Convertisseur de Puissance Comprenant le Modèle Non-Linéaire de Coupure de Commutation d'IGBT Type de document : texte imprimé Auteurs : Jin, Meng, Auteur ; Ma, Weiming, Auteur Article en page(s) : 1577-1583 p. Note générale : Génie Electrique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Electromagnetic  interference  Interférence  électromagnétique  Insulated  gate  bipolar  transistor  Transistor  bipolaire  isolé  de  porte  Power  converter  Convertisseur  de  puissance  Switching  transient  modeling  Modèle  passager  de  changement Index. décimale : 621 Ingénierie mécanique en général. Technologie nucléaire. Ingénierie électrique. Machinerie Résumé : It is well known that very high dv/dt and di/dt during the switching instant is the major high-frequency electromagnetic interference (EMI) source. This paper proposes an improved and simplified EMI-modeling method considering the insulated gate bipolar transistor switching-behavior model. The device turn-on and turn-off dynamics are investigated by dividing the nonlinear transition by several stages. The real device switching voltage and current are approximated by piecewise linear lines and expressed using multiple dv/dt and di/dt superposition. The derived EMI spectra suggest that the high-frequency noise is modeled with an acceptable accuracy. The proposed methodology is verified by experimental results using a dc-dc buck converter. Il est bien connu que dv/dt et di/dt très hauts pendant l'instant de commutation soit la source à haute fréquence principale de l'interférence électromagnétique (IEM). Cet article propose une méthode IEM-modelante améliorée et simplifiée considérant la porte isolée modèle bipolaire de commutation-comportement de transistor. La dynamique d'ouverture et d'arrêt du dispositif est étudiée en divisant la transition non-linéaire par plusieurs étapes. La tension et le courant de commutation de vrai dispositif sont rapprochés par les lignes par morceaux linéaires et exprimés en utilisant la superposition multiple de dv/dt et de di/dt. Les spectres dérivés d'IEM suggèrent que le bruit de haute fréquence soit modelé avec une exactitude acceptable. La méthodologie proposée est vérifiée par des résultats expérimentaux à l'aide d'un convertisseur du mâle C.C-C.C. DEWEY : 621 ISSN : 0278-0046 En ligne : mengjinemc@yahoo.com.cn, maweimin@public.wh.hb.cn [article] Power Converter EMI Analysis Including IGBT Nonlinear Switching Transient Model = Analyse d'IEM de Convertisseur de Puissance Comprenant le Modèle Non-Linéaire de Coupure de Commutation d'IGBT [texte imprimé] / Jin, Meng, Auteur ; Ma, Weiming, Auteur . - 1577-1583 p. Génie Electrique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on industrial electronics > Vol. 53 N° 5 (Octobre 2006) . - 1577-1583 p. Mots-clés : Electromagnetic  interference  Interférence  électromagnétique  Insulated  gate  bipolar  transistor  Transistor  bipolaire  isolé  de  porte  Power  converter  Convertisseur  de  puissance  Switching  transient  modeling  Modèle  passager  de  changement Index. décimale : 621 Ingénierie mécanique en général. Technologie nucléaire. Ingénierie électrique. Machinerie Résumé : It is well known that very high dv/dt and di/dt during the switching instant is the major high-frequency electromagnetic interference (EMI) source. This paper proposes an improved and simplified EMI-modeling method considering the insulated gate bipolar transistor switching-behavior model. The device turn-on and turn-off dynamics are investigated by dividing the nonlinear transition by several stages. The real device switching voltage and current are approximated by piecewise linear lines and expressed using multiple dv/dt and di/dt superposition. The derived EMI spectra suggest that the high-frequency noise is modeled with an acceptable accuracy. The proposed methodology is verified by experimental results using a dc-dc buck converter. Il est bien connu que dv/dt et di/dt très hauts pendant l'instant de commutation soit la source à haute fréquence principale de l'interférence électromagnétique (IEM). Cet article propose une méthode IEM-modelante améliorée et simplifiée considérant la porte isolée modèle bipolaire de commutation-comportement de transistor. La dynamique d'ouverture et d'arrêt du dispositif est étudiée en divisant la transition non-linéaire par plusieurs étapes. La tension et le courant de commutation de vrai dispositif sont rapprochés par les lignes par morceaux linéaires et exprimés en utilisant la superposition multiple de dv/dt et de di/dt. Les spectres dérivés d'IEM suggèrent que le bruit de haute fréquence soit modelé avec une exactitude acceptable. La méthodologie proposée est vérifiée par des résultats expérimentaux à l'aide d'un convertisseur du mâle C.C-C.C. DEWEY : 621 ISSN : 0278-0046 En ligne : mengjinemc@yahoo.com.cn, maweimin@public.wh.hb.cn