Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium [document électronique] /
Nadine Belfihadj, Auteur ;
Fateh Hellal, Directeur de thèse ;
Faouzi Kezzoula, Directeur de thèse . -
[S.l.] : [s.n.], 2020 . - 1 fichier PDF (4.7 Mo) : ill.
Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020
Bibliogr. f. 83 - 88
Langues : Français (
fre)
| Mots-clés : |
Hétérojonction
Photovoltaïque
Silicium amorphe hydrogéné
a-Si:H
AFORS-HET |
| Index. décimale : |
PL00420 |
| Résumé : |
Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur
un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface. |
PL00100 
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