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Caractérisation numérique des cellules photovoltaïques Sn O2 - Si (N+) - Si (P) / Chafa, Azzedine 

Public ISBD Titre : Caractérisation numérique des cellules photovoltaïques Sn O2 - Si (N+) - Si (P) Type de document : texte imprimé Auteurs : Chafa, Azzedine, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1987 Importance : 95 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physiques : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1987 Annexe f. A1 - A8 . Bibliogr. [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteurs Transport Cellules  Sn  O2-  Si  (N+)-  Si(P) Méthodes  numériques Photovoltaïques Index. décimale : M004887 Résumé : Le présent travail consiste en une caractérisation des cellules solaires au silicium SnO₂ - Si(N+) - Si(P) par un calcul numérique. La première difficulté réside dans le choix du modèle ou circuit électrique qui s'adapte à ce type de cellules. Dans un premier temps, on s'est intéressé à la théorie des phénomènes de transport prédominants des différentes structures à semiconducteurs (jonction P - N, Hétérojonction SnO2 - Si,...). Les paramètres microscopiques utilisés dans chaque modèle ont été définis. On a ensuite décrit les modèles couramment employés en littérature, afin d'opter pour celui qui décrit parfaitement nos cellules. L'équation analytique régissant ce modèle choisi est implicite et non linéaire. La deuxième difficulté est, alors le choix de la méthode mathématique pour résoudre cette équation. On a repris, pour cela, quelques unes des méthodes de résolution des équations mathématiques à plusieurs inconnues (méthodes des équations simultanées, de NEWTON...). Dans un second temps, on a développé des programmes informatiques, basés sur les méthodes mathématiques. Le premier programme, basé sur la méthode des équations simultanées, permet, à partir de points caractéristiques sur la courbe courant-tension expérimentale, la détermination des paramètres macroscopiques de la cellule. Le second consiste, pour un paramètre variable et les autres fixes, à observer l'effet de chacun d'entre eux sur la courbe I-V. Le dernier permet le calcul de la caractéristique I-V théorique, pour des valeurs de paramètres données afin de la comparer à la caractéristique expérimentale. Caractérisation numérique des cellules photovoltaïques Sn O2 - Si (N+) - Si (P) [texte imprimé] / Chafa, Azzedine, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1987 . - 95 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physiques : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1987 Annexe f. A1 - A8 . Bibliogr. [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteurs Transport Cellules  Sn  O2-  Si  (N+)-  Si(P) Méthodes  numériques Photovoltaïques Index. décimale : M004887 Résumé : Le présent travail consiste en une caractérisation des cellules solaires au silicium SnO₂ - Si(N+) - Si(P) par un calcul numérique. La première difficulté réside dans le choix du modèle ou circuit électrique qui s'adapte à ce type de cellules. Dans un premier temps, on s'est intéressé à la théorie des phénomènes de transport prédominants des différentes structures à semiconducteurs (jonction P - N, Hétérojonction SnO2 - Si,...). Les paramètres microscopiques utilisés dans chaque modèle ont été définis. On a ensuite décrit les modèles couramment employés en littérature, afin d'opter pour celui qui décrit parfaitement nos cellules. L'équation analytique régissant ce modèle choisi est implicite et non linéaire. La deuxième difficulté est, alors le choix de la méthode mathématique pour résoudre cette équation. On a repris, pour cela, quelques unes des méthodes de résolution des équations mathématiques à plusieurs inconnues (méthodes des équations simultanées, de NEWTON...). Dans un second temps, on a développé des programmes informatiques, basés sur les méthodes mathématiques. Le premier programme, basé sur la méthode des équations simultanées, permet, à partir de points caractéristiques sur la courbe courant-tension expérimentale, la détermination des paramètres macroscopiques de la cellule. Le second consiste, pour un paramètre variable et les autres fixes, à observer l'effet de chacun d'entre eux sur la courbe I-V. Le dernier permet le calcul de la caractéristique I-V théorique, pour des valeurs de paramètres données afin de la comparer à la caractéristique expérimentale.

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Contribution à l'étude des anharmonicites de vibrations intramoléculaires de l'anthracène / Kesri, Naziha 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des anharmonicites de vibrations intramoléculaires de l'anthracène Type de document : texte imprimé Auteurs : Kesri, Naziha, Auteur ; Mentalecheta, Y., Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et Techniques d'Alger Année de publication : 1975 Importance : 107 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse d’État : Physique : Alger, Université des Sciences et Techniques d'Alger : 1975 Bibliogr. [3] f. Annexe [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Physique  ;  Anharmonicité  --  vibrations  ;  Intramoléculaires  ;  Anthracène  ;  Spectres  électroniques-vibroniques  ;  Vibrations  intramoléculaires  ;  Facteurs  --  franck-condon Index. décimale : D001175 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier l'anharmonicité des oscillateurs d'énergie moyenne associés à la déformation du squelette de la molécule. Le problème posé est de savoir si des anharmonicités de tels oscillateurs existent et d'en connaitre l'ordre de grandeur. Le travail présent propose d'étudier l'anharmonicité de ces vibrations du squelette avec des moyens spectroscopiques mesurant à partir du spectre électronique-vibronique l'énergie de transition et l'intensité des raies des satellites vibroniques d'une transition électronique. Les résultats ainsi que les travaux antérieurs effectués et les prérequis théoriques sont présentés en détail dans la thèse. Dans le chapitre suivant, nous donnons un aperçu général des modes d'obtention optiques des spectres électroniques-vibroniques d'une molécule aromatique. Le troisième chapitre rappelle les principales méthodes d'analyse des vibrations intramoléculaires dans l'approximation harmonique alors que dans le chapitre suivant, une classification des potentiels anharmoniques appliqués couramment aux molécules diatomiques est effectuée. Le chapitre V est consacré au calcul du facteur de Franck-Condon en théorie harmonique et anharmonique. Le chapitre VI présente une revue des résultats antérieurs ainsi que l'ensemble des résultats expérimentaux que nous avons obtenus pour l'anthracène et l'anthracène deutéré. L'interprétation des spectres est effectuée dans le cadre harmonique puis anharmonique. Le dernier chapitre est une discussion des méthodes d'analyse choisies ainsi que des problèmes que pose cette analyse pour une molécule polyatomique comme l'anthracène. Contribution à l'étude des anharmonicites de vibrations intramoléculaires de l'anthracène [texte imprimé] / Kesri, Naziha, Auteur ; Mentalecheta, Y., Directeur de thèse . - [S.l.] : Université des Sciences et Techniques d'Alger, 1975 . - 107 f. : ill. ; 27 cm. Thèse d’État : Physique : Alger, Université des Sciences et Techniques d'Alger : 1975 Bibliogr. [3] f. Annexe [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Physique  ;  Anharmonicité  --  vibrations  ;  Intramoléculaires  ;  Anthracène  ;  Spectres  électroniques-vibroniques  ;  Vibrations  intramoléculaires  ;  Facteurs  --  franck-condon Index. décimale : D001175 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier l'anharmonicité des oscillateurs d'énergie moyenne associés à la déformation du squelette de la molécule. Le problème posé est de savoir si des anharmonicités de tels oscillateurs existent et d'en connaitre l'ordre de grandeur. Le travail présent propose d'étudier l'anharmonicité de ces vibrations du squelette avec des moyens spectroscopiques mesurant à partir du spectre électronique-vibronique l'énergie de transition et l'intensité des raies des satellites vibroniques d'une transition électronique. Les résultats ainsi que les travaux antérieurs effectués et les prérequis théoriques sont présentés en détail dans la thèse. Dans le chapitre suivant, nous donnons un aperçu général des modes d'obtention optiques des spectres électroniques-vibroniques d'une molécule aromatique. Le troisième chapitre rappelle les principales méthodes d'analyse des vibrations intramoléculaires dans l'approximation harmonique alors que dans le chapitre suivant, une classification des potentiels anharmoniques appliqués couramment aux molécules diatomiques est effectuée. Le chapitre V est consacré au calcul du facteur de Franck-Condon en théorie harmonique et anharmonique. Le chapitre VI présente une revue des résultats antérieurs ainsi que l'ensemble des résultats expérimentaux que nous avons obtenus pour l'anthracène et l'anthracène deutéré. L'interprétation des spectres est effectuée dans le cadre harmonique puis anharmonique. Le dernier chapitre est une discussion des méthodes d'analyse choisies ainsi que des problèmes que pose cette analyse pour une molécule polyatomique comme l'anthracène.

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D001175	D001175	Papier	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible

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Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) / Bouarroudj, Habiba 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) Type de document : texte imprimé Auteurs : Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1984 Importance : 128 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure  M.I.S.S.  ;  Énergie  --  solaire  ;  Métal  ;  Isolant  ;  Semi-conducteur Index. décimale : M004784 Résumé : Le but de ce travail est de contribuer à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semiconducteur-semiconducteur (M.I.S.S.), les éléments essentiels constituant cette structure sont respectivement: la jonction PN au silicium monocristallin, la couche isolante d'oxyde de silicium SiO2 et la couche transparente d'oxyde d'étain SnO2. Nous avons caractérisé ces structures au moyen de la caractéristique courant-tension (I-V) à l'obscurité et sous éclairement. Parallèlement, l'étude théorique de ces hétérostructures à été approfondie notamment au moyen des théories de transport des structures PN, MS et M.I.S. Dans un premier chapitre, nous donnons brièvement les matériaux constitutifs de la structure M.I.S.S.: jonction PN-oxyde de silicium-oxyde d'étain. Dans le deuxième chapitre, nous présenterons la théorie de transport dans la structure M.I.S.S. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation de la structure M.I.S.S. et ses principaux domaines d'application, effet photovoltaïque et commutation rapide. Dans le dernier chapitre, nous donnons les procédés de fabrication de ces hétérostructures et leur caractérisation. Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) [texte imprimé] / Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1984 . - 128 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure  M.I.S.S.  ;  Énergie  --  solaire  ;  Métal  ;  Isolant  ;  Semi-conducteur Index. décimale : M004784 Résumé : Le but de ce travail est de contribuer à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semiconducteur-semiconducteur (M.I.S.S.), les éléments essentiels constituant cette structure sont respectivement: la jonction PN au silicium monocristallin, la couche isolante d'oxyde de silicium SiO2 et la couche transparente d'oxyde d'étain SnO2. Nous avons caractérisé ces structures au moyen de la caractéristique courant-tension (I-V) à l'obscurité et sous éclairement. Parallèlement, l'étude théorique de ces hétérostructures à été approfondie notamment au moyen des théories de transport des structures PN, MS et M.I.S. Dans un premier chapitre, nous donnons brièvement les matériaux constitutifs de la structure M.I.S.S.: jonction PN-oxyde de silicium-oxyde d'étain. Dans le deuxième chapitre, nous présenterons la théorie de transport dans la structure M.I.S.S. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation de la structure M.I.S.S. et ses principaux domaines d'application, effet photovoltaïque et commutation rapide. Dans le dernier chapitre, nous donnons les procédés de fabrication de ces hétérostructures et leur caractérisation.

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M004784	M004784	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain / Belkaïd, Saïd 

Public ISBD Titre : Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain Type de document : texte imprimé Auteurs : Belkaïd, Saïd, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1984 Importance : 123 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Énergie  solaire  ;  Silicium-oxyde  --  étain  ;  Effet  photovoltaïque  ;  Hétérojonctions Index. décimale : M005584 Résumé : Dans ce travail, nous nous somme intéressés à apporter une contribution à la réalisation et l'optimisation de structures photovoltaïques silicium-oxyde d'étain à partir de substrats de silicium monocristallin fournis par la division semiconducteurs de l'Entreprise Nationale des Industries Electroniques de Sidi-Bel-Abbas. La première partie de ce travail (Partie A) développe les principes théoriques de l'effet photovoltaïque sur le modèle d'une homojonction P-N au silicium et en dégage les paramètres caractéristiques. L'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque, a été étudiée. D'autre part, nous avons abordé l'étude théorique de la structure silicium-oxyde d'étain. La deuxième partie (B) présente la réalisation expérimentale de la cellule photovoltaïque à hétérojonction silicium-oxyde d'étain et son optimisation. Nous avons, pour cela, utilisé la méthode de déposition chimique en phase vapeur (C.V.D) qui est une méthode très simple et économique. Elle permet d'obtenir à des températures relativement basses des films minces d'oxyde d'étain extrêmement stables et adhérents sur de nombreux substrats (verre, silicium, etc...). Nous nous sommes attachées à l'optimisation de chacun des facteurs entrant dans la fabrication. Une discussion sur les résultats obtenus nous permettent de conclure positivement sur les possibilités réelles de ces dispositifs comme convertisseurs photovoltaïques. Un rendement de conversion de 6,75 % a été atteint. Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain [texte imprimé] / Belkaïd, Saïd, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1984 . - 123 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Énergie  solaire  ;  Silicium-oxyde  --  étain  ;  Effet  photovoltaïque  ;  Hétérojonctions Index. décimale : M005584 Résumé : Dans ce travail, nous nous somme intéressés à apporter une contribution à la réalisation et l'optimisation de structures photovoltaïques silicium-oxyde d'étain à partir de substrats de silicium monocristallin fournis par la division semiconducteurs de l'Entreprise Nationale des Industries Electroniques de Sidi-Bel-Abbas. La première partie de ce travail (Partie A) développe les principes théoriques de l'effet photovoltaïque sur le modèle d'une homojonction P-N au silicium et en dégage les paramètres caractéristiques. L'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque, a été étudiée. D'autre part, nous avons abordé l'étude théorique de la structure silicium-oxyde d'étain. La deuxième partie (B) présente la réalisation expérimentale de la cellule photovoltaïque à hétérojonction silicium-oxyde d'étain et son optimisation. Nous avons, pour cela, utilisé la méthode de déposition chimique en phase vapeur (C.V.D) qui est une méthode très simple et économique. Elle permet d'obtenir à des températures relativement basses des films minces d'oxyde d'étain extrêmement stables et adhérents sur de nombreux substrats (verre, silicium, etc...). Nous nous sommes attachées à l'optimisation de chacun des facteurs entrant dans la fabrication. Une discussion sur les résultats obtenus nous permettent de conclure positivement sur les possibilités réelles de ces dispositifs comme convertisseurs photovoltaïques. Un rendement de conversion de 6,75 % a été atteint.

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M005584	M005584	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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