Documents disponibles écrits par cet auteur

Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite / Hebib, Sami 

Public ISBD Titre : Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite Type de document : texte imprimé Auteurs : Hebib, Sami, Auteur ; Yahi, Islem, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2004 Importance : 59 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2004 Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor  à  effet  de  champ Amplification  à  faible  bruit Circuits  à  constantes  localisées Circuit  à  constantes  réparties Conception  des  amplificateurs Index. décimale : PN00904 Résumé : Ce travail comporte des études d'amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ et à faible bruit, ainsi que leurs conceptions en technologie hybride. Différents circuits passifs qu'il soient à constantes localisées ou réparties, sont utilisés. Les circuits à constantes réparties sont réalisés en technologie microruban. La conception de ces amplificateurs fait appel à la théorie des systèmes micro-ondes, basée sur celle des lignes de transmission et sur les paramètres de répartition. La simulation, la synthèse et la réalisation du circuit imprimé de ces dispositifs se font à l'aide d'un logiciel approprié. La fréquence de 2 GHz est choisie en raison de son utilisation dans la téléphonie mobile. L'amplificateur conçu possède un facteur de bruit de 0.22 dB et un gain de 13.4 dB. Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite [texte imprimé] / Hebib, Sami, Auteur ; Yahi, Islem, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2004 . - 59 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2004 Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor  à  effet  de  champ Amplification  à  faible  bruit Circuits  à  constantes  localisées Circuit  à  constantes  réparties Conception  des  amplificateurs Index. décimale : PN00904 Résumé : Ce travail comporte des études d'amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ et à faible bruit, ainsi que leurs conceptions en technologie hybride. Différents circuits passifs qu'il soient à constantes localisées ou réparties, sont utilisés. Les circuits à constantes réparties sont réalisés en technologie microruban. La conception de ces amplificateurs fait appel à la théorie des systèmes micro-ondes, basée sur celle des lignes de transmission et sur les paramètres de répartition. La simulation, la synthèse et la réalisation du circuit imprimé de ces dispositifs se font à l'aide d'un logiciel approprié. La fréquence de 2 GHz est choisie en raison de son utilisation dans la téléphonie mobile. L'amplificateur conçu possède un facteur de bruit de 0.22 dB et un gain de 13.4 dB.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
PN00904	PN00904	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Projet Fin d'Etudes	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

Documents numériques

HEBIB.Sami_YAHI.Islem.pdf URL