| Titre de série : |
Le transistor MOS, Fascicule 3 |
| Titre : |
Technologies MOS |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse |
| Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
| Année de publication : |
1975 |
| Importance : |
66 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 66 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Transistor MOS
Micro électronique
Technologies MOS |
| Index. décimale : |
PA00475(2) |
| Résumé : |
La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs. |
Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS [texte imprimé] / Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1975 . - 66 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 66 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Transistor MOS
Micro électronique
Technologies MOS |
| Index. décimale : |
PA00475(2) |
| Résumé : |
La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs. |
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