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Contribution à l'étude des structures métal-isolant-métal et à leur utilisation comme injecteurs d'électrons dans les cristaux moléculaires / Mentalecheta, Y. 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude des structures métal-isolant-métal et à leur utilisation comme injecteurs d'électrons dans les cristaux moléculaires Type de document : texte imprimé Auteurs : Mentalecheta, Y., Auteur ; Dumontet, P., Directeur de thèse Editeur : Faculté des Sciences de l'Université d'Alger Année de publication : 1967 Importance : 139 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse d’État : Physique du Solide : Alger, Faculté des Sciences de l'Université d'Alger : 1967 Bibliogr. f. 140 - 141 Langues : Français (fre) Mots-clés : Physique  --  solide  ;  Diodes  ;  Courant-tension  ;  Émission  sous  vide  ;  Perte  --  énergie  ;  Énergie  --  électrons  ;  Structure  M  I  M  ;  Anthracène  ;  Injecteurs  --  électrons  ;  Cristaux  moléculaires Index. décimale : D000467 Résumé : Le but de notre étude du mécanisme d'émission des diodes M I M est de tirer parti de la comparaison des résultats expérimentaux d'injection électronique dans le vide et dans l'Anthracène. Avec les hypothèses que nous avons avancées, le premier niveau de conduction se situe toujours au-dessus de 3,1 eV qui est le seuil d'absorption optique de l'Anthracène dans le proche U.V. or, on sait que la bande de conduction doit se trouver au-dessus du niveau d'absorption optique So-->S1 situé à 3,1 eV. En effet, lorsqu'on réalise une double injection de charges (électrons-trous) dans l'Anthracène avec des électrodes particulièrement actives, on remarque qu'il apparait une lumière de recombinaison dont le spectre correspond à celui de la fluorescence de l'Anthracène (aux environs de la transition S1-->So). Cela laisse supposer qu'un électron qui se recombine avec un trou, dispose d'une énergie au moins égale à 3,1 eV. Comment expliquer alors la saturation du courant dans l'Anthracène pour une valeur de l'ordre de 10 puissance -8? Les électrons injectés dans l'Anthracène forment une charge d'espace en mouvement à l'intérieur du cristal. En prenant pour la mobilité des électrons dans l'Anthracène, la valeur avancée par KEPLER, nous trouvons pour le courant de saturation Is de l'ordre de quelques 10 puissance -8 A, ce qui confirme nos expériences. Nous pouvons donc conclure que le courant se sature dans l'Anthracène du fait de la charge d'espace. Il parait délicat de tirer d'autres conclusions de la comparaison des 2 mécanismes d'injection que nous proposons. Les diodes tunnel ont accompli ce qu'on attendait d'elles. Elles nous ont permis d'injecter des charges dans un isolant et d'en tirer une estimation de la situation en énergie des premiers niveaux de conduction dans l'Anthracène. Il est possible d'augmenter le courant d'injection en continu; en régime pulsé il sera également possible de faire supporter à la diode des tensions plus élevées. Les diodes tunnel permettront d'entreprendre l'étude des différentes bandes de conduction dans les cristaux aromatiques, et en particulier dans le Tétracène sur lequel on possède déjà quelques informations. Contribution à l'étude des structures métal-isolant-métal et à leur utilisation comme injecteurs d'électrons dans les cristaux moléculaires [texte imprimé] / Mentalecheta, Y., Auteur ; Dumontet, P., Directeur de thèse . - [S.l.] : Faculté des Sciences de l'Université d'Alger, 1967 . - 139 f. : ill. ; 27 cm. Thèse d’État : Physique du Solide : Alger, Faculté des Sciences de l'Université d'Alger : 1967 Bibliogr. f. 140 - 141 Langues : Français (fre) Mots-clés : Physique  --  solide  ;  Diodes  ;  Courant-tension  ;  Émission  sous  vide  ;  Perte  --  énergie  ;  Énergie  --  électrons  ;  Structure  M  I  M  ;  Anthracène  ;  Injecteurs  --  électrons  ;  Cristaux  moléculaires Index. décimale : D000467 Résumé : Le but de notre étude du mécanisme d'émission des diodes M I M est de tirer parti de la comparaison des résultats expérimentaux d'injection électronique dans le vide et dans l'Anthracène. Avec les hypothèses que nous avons avancées, le premier niveau de conduction se situe toujours au-dessus de 3,1 eV qui est le seuil d'absorption optique de l'Anthracène dans le proche U.V. or, on sait que la bande de conduction doit se trouver au-dessus du niveau d'absorption optique So-->S1 situé à 3,1 eV. En effet, lorsqu'on réalise une double injection de charges (électrons-trous) dans l'Anthracène avec des électrodes particulièrement actives, on remarque qu'il apparait une lumière de recombinaison dont le spectre correspond à celui de la fluorescence de l'Anthracène (aux environs de la transition S1-->So). Cela laisse supposer qu'un électron qui se recombine avec un trou, dispose d'une énergie au moins égale à 3,1 eV. Comment expliquer alors la saturation du courant dans l'Anthracène pour une valeur de l'ordre de 10 puissance -8? Les électrons injectés dans l'Anthracène forment une charge d'espace en mouvement à l'intérieur du cristal. En prenant pour la mobilité des électrons dans l'Anthracène, la valeur avancée par KEPLER, nous trouvons pour le courant de saturation Is de l'ordre de quelques 10 puissance -8 A, ce qui confirme nos expériences. Nous pouvons donc conclure que le courant se sature dans l'Anthracène du fait de la charge d'espace. Il parait délicat de tirer d'autres conclusions de la comparaison des 2 mécanismes d'injection que nous proposons. Les diodes tunnel ont accompli ce qu'on attendait d'elles. Elles nous ont permis d'injecter des charges dans un isolant et d'en tirer une estimation de la situation en énergie des premiers niveaux de conduction dans l'Anthracène. Il est possible d'augmenter le courant d'injection en continu; en régime pulsé il sera également possible de faire supporter à la diode des tensions plus élevées. Les diodes tunnel permettront d'entreprendre l'étude des différentes bandes de conduction dans les cristaux aromatiques, et en particulier dans le Tétracène sur lequel on possède déjà quelques informations.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D000467	D000467	Papier	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible

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