Documents disponibles écrits par cet auteur

Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence / McNutt, Ty R. in IEEE transactions on power electronics, Vol. 22 N°2 (Mars 2007)

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 353-363 p. Titre : Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence Titre original : Ordre d'extraction de modèle et de paramètre de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : McNutt, Ty R., Auteur ; Hefner, Allen R, Auteur ; Mantooth, H. Alan, Auteur Article en page(s) : 353-363 p. Note générale : Electronique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : DiMOSFET  Silicone  cabride  (SiC)  Cabride  de  silicone Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : A compact circuit simulator model is used to describe the performance of a 2-kV, 5-A 4-H silicon carbide (SiC) power DiMOSFET and to perform a detailed comparison with the performance of a widely used 400-V, 5-A Si power MOSFET. The model's channel current expressions are unique in that they include the channel regions at the corners of the square or hexagonal cells that turn on at lower gate voltages and the enhanced linear region transconductance due to diffusion in the nonuniformly doped channel. It is shown that the model accurately describes the static and dynamic performance of both the Si and SiC devices and that the diffusion-enhanced channel conductance is essential to describe the SiC DiMOSFET on-state characteristics. The detailed device comparisons reveal that both the on-state performance and switching performance at 25degC are similar between the 400-V Si and 2-kV SiC MOSFETs, with the exception that the SiC device requires twice the gate drive voltage. The main difference between the devices is that the SiC has a five times higher voltage rating without an increase in the specific on-resistance. At higher temperatures (above 100degC), the Si device has a severe reduction in conduction capability, whereas the SiC on-resistance is only minimally affected. Un modèle compact de simulateur de circuit est employé pour décrire l'exécution d'un 2-kV, puissance DiMOSFET de carbure de silicium de 5-A 4-H (SiC) et pour effectuer une comparaison détaillée avec l'exécution d'un 400-V employé couramment, transistor MOSFET de puissance du silicium 5-A. Les expressions courantes du canal du modèle sont uniques du fait elles incluent les régions de canal aux coins de la place ou des cellules hexagonales qui s'allument aux tensions inférieures de porte et au transconductance linéaire augmenté de région dû à la diffusion dans le canal nonuniformly enduit. On lui montre que le modèle décrit exactement l'exécution statique et dynamique des dispositifs de silicium et de SiC et que la conductibilité diffusion-augmentée de canal est essentielle pour décrire les caractéristiques de sur-état de SiC DiMOSFET. Les comparaisons détaillées de dispositif indiquent que l'exécution de sur-état et l'exécution de commutation à 25degC sont semblables entre le silicium 400-V et les transistors MOSFET de 2-kV SiC, excepté que le dispositif de SiC exige deux fois la tension d'entraînement de porte. La différence principale entre les dispositifs est que le SiC a une estimation de cinq fois plus élevée de tension sans augmentation de la sur-résistance spécifique. À températures élevées (au-dessus de 100degC), le dispositif de silicium a une réduction grave des possibilités de conduction, tandis que la sur-résistance de SiC seulement est d'une façon minimum affectée. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Transistors MOSFET -- Silicium [article] Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence = Ordre d'extraction de modèle et de paramètre de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium [texte imprimé] / McNutt, Ty R., Auteur ; Hefner, Allen R, Auteur ; Mantooth, H. Alan, Auteur . - 353-363 p. Electronique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 353-363 p. Mots-clés : DiMOSFET  Silicone  cabride  (SiC)  Cabride  de  silicone Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : A compact circuit simulator model is used to describe the performance of a 2-kV, 5-A 4-H silicon carbide (SiC) power DiMOSFET and to perform a detailed comparison with the performance of a widely used 400-V, 5-A Si power MOSFET. The model's channel current expressions are unique in that they include the channel regions at the corners of the square or hexagonal cells that turn on at lower gate voltages and the enhanced linear region transconductance due to diffusion in the nonuniformly doped channel. It is shown that the model accurately describes the static and dynamic performance of both the Si and SiC devices and that the diffusion-enhanced channel conductance is essential to describe the SiC DiMOSFET on-state characteristics. The detailed device comparisons reveal that both the on-state performance and switching performance at 25degC are similar between the 400-V Si and 2-kV SiC MOSFETs, with the exception that the SiC device requires twice the gate drive voltage. The main difference between the devices is that the SiC has a five times higher voltage rating without an increase in the specific on-resistance. At higher temperatures (above 100degC), the Si device has a severe reduction in conduction capability, whereas the SiC on-resistance is only minimally affected. Un modèle compact de simulateur de circuit est employé pour décrire l'exécution d'un 2-kV, puissance DiMOSFET de carbure de silicium de 5-A 4-H (SiC) et pour effectuer une comparaison détaillée avec l'exécution d'un 400-V employé couramment, transistor MOSFET de puissance du silicium 5-A. Les expressions courantes du canal du modèle sont uniques du fait elles incluent les régions de canal aux coins de la place ou des cellules hexagonales qui s'allument aux tensions inférieures de porte et au transconductance linéaire augmenté de région dû à la diffusion dans le canal nonuniformly enduit. On lui montre que le modèle décrit exactement l'exécution statique et dynamique des dispositifs de silicium et de SiC et que la conductibilité diffusion-augmentée de canal est essentielle pour décrire les caractéristiques de sur-état de SiC DiMOSFET. Les comparaisons détaillées de dispositif indiquent que l'exécution de sur-état et l'exécution de commutation à 25degC sont semblables entre le silicium 400-V et les transistors MOSFET de 2-kV SiC, excepté que le dispositif de SiC exige deux fois la tension d'entraînement de porte. La différence principale entre les dispositifs est que le SiC a une estimation de cinq fois plus élevée de tension sans augmentation de la sur-résistance spécifique. À températures élevées (au-dessus de 100degC), le dispositif de silicium a une réduction grave des possibilités de conduction, tandis que la sur-résistance de SiC seulement est d'une façon minimum affectée. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Transistors MOSFET -- Silicium