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Numerical Optimization of an Active Voltage Controller for High-Power IGBT Converters / Bryant, Angus T. in IEEE transactions on power electronics, Vol. 22 N°2 (Mars 2007) 

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 374-383 p. Titre : Numerical Optimization of an Active Voltage Controller for High-Power IGBT Converters Titre original : Optimisation numérique d'un contrôleur actif de tension pour les convertisseurs de haute puissance d'IGBT Type de document : texte imprimé Auteurs : Bryant, Angus T., Auteur ; Wang,Yalan, Auteur ; Finney, Stephen J., Auteur Article en page(s) : 374-383 p. Note générale : Electronique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Active  voltage  control  (AVC)  Optimization  Power  semiconductor  device  modeling  Series  insulated  gate  bipolar  transistor  (IGBTs)  Commande  active  de  tension  Optimisation  Modèle  de  dispositif  de  semi-conducteur  de  puissance  séries  isolées  déclenchant  le  transistor  bipolaire Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Feedback control of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in the active region can be used to regulate the device switching trajectory. This facilitates series connection of devices without the use of external snubber networks. Control must be achieved across the full active region of the IGBT and must balance a number of conflicting system goals including diode recovery. To date, the choice of control parameters has been a largely empirical process. This paper uses accurate device models and formalized optimization procedures to evaluate IGBT active voltage controllers. A detailed optimization for the control of IGBT turn-on is presented in this paper. La commande de rétroaction des transistors bipolaires isolés de porte (IGBTs) dans la région active peut être employée pour régler la trajectoire de commutation de dispositif. Ceci facilite le raccordement de série des dispositifs sans utilisation des réseaux externes de séparateur. La commande doit être réalisée à travers la pleine région active de l'IGBT et doit équilibrer un certain nombre de buts contradictoires de système comprenant le rétablissement de diode. Jusqu'ici, le choix des paramètres de commande a été un processus en grande partie empirique. Cet article emploie les modèles précis de dispositif et les procédures formalisées d'optimisation pour évaluer les contrôleurs actifs de tension d'IGBT. Une optimisation détaillée pour la commande de la mise en fonction d'IGBT est présentée en cet article. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Transistors bipolaires En ligne : a.t.bryant@warwick.ac.uk, yw220@cam.ac.uk, prp11@hermes.cam.ac.uk [article] Numerical Optimization of an Active Voltage Controller for High-Power IGBT Converters = Optimisation numérique d'un contrôleur actif de tension pour les convertisseurs de haute puissance d'IGBT [texte imprimé] / Bryant, Angus T., Auteur ; Wang,Yalan, Auteur ; Finney, Stephen J., Auteur . - 374-383 p. Electronique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 374-383 p. Mots-clés : Active  voltage  control  (AVC)  Optimization  Power  semiconductor  device  modeling  Series  insulated  gate  bipolar  transistor  (IGBTs)  Commande  active  de  tension  Optimisation  Modèle  de  dispositif  de  semi-conducteur  de  puissance  séries  isolées  déclenchant  le  transistor  bipolaire Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Feedback control of insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in the active region can be used to regulate the device switching trajectory. This facilitates series connection of devices without the use of external snubber networks. Control must be achieved across the full active region of the IGBT and must balance a number of conflicting system goals including diode recovery. To date, the choice of control parameters has been a largely empirical process. This paper uses accurate device models and formalized optimization procedures to evaluate IGBT active voltage controllers. A detailed optimization for the control of IGBT turn-on is presented in this paper. La commande de rétroaction des transistors bipolaires isolés de porte (IGBTs) dans la région active peut être employée pour régler la trajectoire de commutation de dispositif. Ceci facilite le raccordement de série des dispositifs sans utilisation des réseaux externes de séparateur. La commande doit être réalisée à travers la pleine région active de l'IGBT et doit équilibrer un certain nombre de buts contradictoires de système comprenant le rétablissement de diode. Jusqu'ici, le choix des paramètres de commande a été un processus en grande partie empirique. Cet article emploie les modèles précis de dispositif et les procédures formalisées d'optimisation pour évaluer les contrôleurs actifs de tension d'IGBT. Une optimisation détaillée pour la commande de la mise en fonction d'IGBT est présentée en cet article. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Transistors bipolaires En ligne : a.t.bryant@warwick.ac.uk, yw220@cam.ac.uk, prp11@hermes.cam.ac.uk