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Properties of Direct Aluminum Bonded Substrates for Power Semiconductor Components / Lindemann, Andreas in IEEE transactions on power electronics, Vol. 22 N°2 (Mars 2007) 

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 384-391 p. Titre : Properties of Direct Aluminum Bonded Substrates for Power Semiconductor Components Titre original : Propriétés des substrats collés d'aluminium direct pour des composants de semi-conducteur de puissance Type de document : texte imprimé Auteurs : Lindemann, Andreas, Auteur ; Strauch, Gerhard, Auteur Article en page(s) : 384-391 p. Note générale : Electronique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Ceramic  insulators  Direct  aluminium  bonded  (DAB)  substrates  Power  semiconductor  devices  Reliability  Isolateurs  en  céramique  Substrats  collés  d'aluminium  direct  Dispositifs  de  semi-conducteur  de  puissance  Fiabilité Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Direct aluminum bonded (DAB) substrates have been developed. They can serve as isolating carriers especially for power electronic circuits or integrated components, respectively, using the standard assembly processes also applied to state of the art direct copper bonded (DCB) substrates. This new type of substrates has been characterized theoretically based on material properties of its layers and experimentally. While it behaves similar to DCB in many respects, the remarkably higher temperature cycling capability of DAB substrates constitutes a major difference, which is also useful to increase reliability of components exposed to extreme environmental temperatures. DAB based moulded integrated components with large chips in this respect have shown to reach a level of reliability which could not be achieved earlier with conventional technology. Outperforming the latter and complementing DCB, DAB can thus, in the future, be expected to explore new, and contribute to optimization of, existing applications with special demand for high reliability or also low weight. This makes this material well suited for use, e.g., in automotive power converters or avionic electronics. Des substrats (de TAPE collés par aluminium direct) ont été développés. Ils peuvent servir d'isoler des porteurs particulièrement pour les circuits électroniques de puissance ou les composants intégrés, respectivement, en utilisant les assemblages standard également appliqués aux substrats collés par cuivre direct de situation actuelle (le bloc de contrôle de données). Ce nouveau type de substrats a été caractérisé théoriquement a basé sur les propriétés matérielles de ses couches et expérimentalement. Tandis qu'il se comporte semblable au bloc de contrôle de données à bien des égards, les possibilités de cycle de la température remarquablement plus élevée des substrats de TAPE constituent une différence importante, qui est également utile pour augmenter la fiabilité des composants exposés aux températures environnementales extrêmes. La TAPE a basé les composants intégrés moulés avec de grands morceaux à cet égard ont montré pour atteindre un niveau de fiabilité ce qui ne pourrait pas être réalisé plus tôt avec la technologie conventionnelle. Surpassant le dernier et complétant bloc de contrôle de données, la TAPE peut, à l'avenir, être prévue ainsi explorer nouveau, et contribuer à l'optimisation de, aux applications existantes avec la demande spéciale de la fiabilité élevée ou également au bas poids. Ceci rend ce matériel bien adapté pour l'usage, par exemple, dans les convertisseurs de puissance des véhicules à moteur ou l'électronique aéro-électronique. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Silicium -- Substrats--Semiconducteurs En ligne : andreas.lindermann@e-technik.uni-magdeburg.de, gerhard.strauch@westcode.com [article] Properties of Direct Aluminum Bonded Substrates for Power Semiconductor Components = Propriétés des substrats collés d'aluminium direct pour des composants de semi-conducteur de puissance [texte imprimé] / Lindemann, Andreas, Auteur ; Strauch, Gerhard, Auteur . - 384-391 p. Electronique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 384-391 p. Mots-clés : Ceramic  insulators  Direct  aluminium  bonded  (DAB)  substrates  Power  semiconductor  devices  Reliability  Isolateurs  en  céramique  Substrats  collés  d'aluminium  direct  Dispositifs  de  semi-conducteur  de  puissance  Fiabilité Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Direct aluminum bonded (DAB) substrates have been developed. They can serve as isolating carriers especially for power electronic circuits or integrated components, respectively, using the standard assembly processes also applied to state of the art direct copper bonded (DCB) substrates. This new type of substrates has been characterized theoretically based on material properties of its layers and experimentally. While it behaves similar to DCB in many respects, the remarkably higher temperature cycling capability of DAB substrates constitutes a major difference, which is also useful to increase reliability of components exposed to extreme environmental temperatures. DAB based moulded integrated components with large chips in this respect have shown to reach a level of reliability which could not be achieved earlier with conventional technology. Outperforming the latter and complementing DCB, DAB can thus, in the future, be expected to explore new, and contribute to optimization of, existing applications with special demand for high reliability or also low weight. This makes this material well suited for use, e.g., in automotive power converters or avionic electronics. Des substrats (de TAPE collés par aluminium direct) ont été développés. Ils peuvent servir d'isoler des porteurs particulièrement pour les circuits électroniques de puissance ou les composants intégrés, respectivement, en utilisant les assemblages standard également appliqués aux substrats collés par cuivre direct de situation actuelle (le bloc de contrôle de données). Ce nouveau type de substrats a été caractérisé théoriquement a basé sur les propriétés matérielles de ses couches et expérimentalement. Tandis qu'il se comporte semblable au bloc de contrôle de données à bien des égards, les possibilités de cycle de la température remarquablement plus élevée des substrats de TAPE constituent une différence importante, qui est également utile pour augmenter la fiabilité des composants exposés aux températures environnementales extrêmes. La TAPE a basé les composants intégrés moulés avec de grands morceaux à cet égard ont montré pour atteindre un niveau de fiabilité ce qui ne pourrait pas être réalisé plus tôt avec la technologie conventionnelle. Surpassant le dernier et complétant bloc de contrôle de données, la TAPE peut, à l'avenir, être prévue ainsi explorer nouveau, et contribuer à l'optimisation de, aux applications existantes avec la demande spéciale de la fiabilité élevée ou également au bas poids. Ceci rend ce matériel bien adapté pour l'usage, par exemple, dans les convertisseurs de puissance des véhicules à moteur ou l'électronique aéro-électronique. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Silicium -- Substrats--Semiconducteurs En ligne : andreas.lindermann@e-technik.uni-magdeburg.de, gerhard.strauch@westcode.com