High Temperature Embedded SiC Chip Module (ECM) for Power Electronics Applications / Yin, Jian in IEEE transactions on power electronics, Vol. 22 N°2 (Mars 2007)  

Public ISBD [article]  inIEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 392-398 p. Titre : High Temperature Embedded SiC Chip Module (ECM) for Power Electronics Applications Titre original : Module incorporé à hautes températures de morceau de SiC (contre-mesure électronique) pour des applications de l'électronique de puissance Type de document : texte imprimé Auteurs : Yin, Jian, Auteur ; Liang, Zhenxian, Auteur ; van Wyk, Jacobus Daniel, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 392-398 p. Note générale : Electronique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Cohefficient of thermal expansion (CTE) Embedded chip module (ECM) de dilatation thermique Module incorporé morceau Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Technology for a 3-D high temperature integrated power electronics module for applications involving high density, and high temperature (e.g., those over 200degC) is described. The high temperature embedded chip module (ECM) technology is proposed to realize a lower stress distribution in a mechanically balanced structure with double-sided metallization layers and material coefficient of thermal expansion match in the structure. This technology for packaging the active component is also proposed for universal use with a flip-over structure and pressure connections. The fabrication process of this high temperature ECM is presented. The forward and reverse characteristics of the high temperature ECM have been measured up to 279degC. Thermally induced mechanical stress is reduced to an acceptable level by applying a symmetrical structure with buffering layers. La technologie pour un module intégré à hautes températures à trois dimensions de l'électronique de puissance pour des applications impliquant une densité, et la température (par exemple, ceux excédent 200degC) est décrite. On propose la technologie incluse à hautes températures du module de morceau (contre-mesure électronique) pour réaliser une distribution inférieure d'effort dans une structure mécaniquement équilibrée avec des couches à côté double de métallisation et le coefficient matériel du match de dilatation thermique dans la structure. On propose également cette technologie pour empaqueter le composant actif pour l'usage universel avec a renverser-au-dessus des raccordements de structure et de pression. Le processus de fabrication de cette contre-mesure électronique à hautes températures est présenté. Les caractéristiques vers l'avant et d'inversion de la contre-mesure électronique à hautes températures ont été mesurées jusqu'à 279degC. L'effort mécanique thermiquement induit est réduit à un niveau acceptable en appliquant une structure symétrique avec des couches d'amortissement. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Contre-mesures électroniques-- Dilatation (thermodynamique) En ligne : jtin@vt.edu [article] High Temperature Embedded SiC Chip Module (ECM) for Power Electronics Applications = Module incorporé à hautes températures de morceau de SiC (contre-mesure électronique) pour des applications de l'électronique de puissance [texte imprimé] / Yin, Jian, Auteur ; Liang, Zhenxian, Auteur ; van Wyk, Jacobus Daniel, Auteur . - 2007 . - 392-398 p. Electronique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°2 (Mars 2007) . - 392-398 p. Mots-clés : Cohefficient of thermal expansion (CTE) Embedded chip module (ECM) de dilatation thermique Module incorporé morceau Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Technology for a 3-D high temperature integrated power electronics module for applications involving high density, and high temperature (e.g., those over 200degC) is described. The high temperature embedded chip module (ECM) technology is proposed to realize a lower stress distribution in a mechanically balanced structure with double-sided metallization layers and material coefficient of thermal expansion match in the structure. This technology for packaging the active component is also proposed for universal use with a flip-over structure and pressure connections. The fabrication process of this high temperature ECM is presented. The forward and reverse characteristics of the high temperature ECM have been measured up to 279degC. Thermally induced mechanical stress is reduced to an acceptable level by applying a symmetrical structure with buffering layers. La technologie pour un module intégré à hautes températures à trois dimensions de l'électronique de puissance pour des applications impliquant une densité, et la température (par exemple, ceux excédent 200degC) est décrite. On propose la technologie incluse à hautes températures du module de morceau (contre-mesure électronique) pour réaliser une distribution inférieure d'effort dans une structure mécaniquement équilibrée avec des couches à côté double de métallisation et le coefficient matériel du match de dilatation thermique dans la structure. On propose également cette technologie pour empaqueter le composant actif pour l'usage universel avec a renverser-au-dessus des raccordements de structure et de pression. Le processus de fabrication de cette contre-mesure électronique à hautes températures est présenté. Les caractéristiques vers l'avant et d'inversion de la contre-mesure électronique à hautes températures ont été mesurées jusqu'à 279degC. L'effort mécanique thermiquement induit est réduit à un niveau acceptable en appliquant une structure symétrique avec des couches d'amortissement. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Contre-mesures électroniques-- Dilatation (thermodynamique) En ligne : jtin@vt.edu

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