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Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes / Ben Salah, Tarek in IEEE transactions on power electronics, Vol. 22 N°1 (Janvier 2007) 

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°1 (Janvier 2007) . - 13-20 p. Titre : Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes Titre original : Analyse expérimentale de Poinçon-À travers des conditions dans des diodes de la puissance $P$-$I$- $N$ Type de document : texte imprimé Auteurs : Ben Salah, Tarek, Auteur ; Buttay, Cyril, Auteur Article en page(s) : 13-20 p. Note générale : Electronique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Avalanche  p-type  Intrinsic  n-type  (P-I-N)  Diode  Punch-through  (PT)  Reverse-recovery  Avalanche  Intrinsèque  Diode  Passer  à  travers  Rétablissement  renversé Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Commercial power diodes are optimized to feature punch-through behavior. However, a tradeoff between the width and the doping level of the diode epitaxial layer leads to various levels of optimization. For a given breakdown voltage, a shorter epitaxial layer width leads to better transient performances. Device datasheets do not cover this issue and a simple experimental setup is presented to assess the optimization conditions inside the diode epitaxial layer. Three commercial devices are tested and experimental results are confronted to device simulations. A good agreement is found. Des diodes commerciales de puissance sont optimisées pour comporter poinçon-à travers le comportement. Cependant, une différence entre la largeur et le niveau enduisant de la couche épitaxiale de diode mène à de divers niveaux d'optimisation. Pour une tension claque indiquée, une largeur épitaxiale plus courte de couche mène à améliorer des exécutions passagères. Les datasheets de dispositif ne couvrent pas cette question et une installation expérimentale simple est présentée pour évaluer les conditions d'optimisation à l'intérieur de la couche épitaxiale de diode. Trois dispositifs commerciaux sont examinés et des résultats expérimentaux sont confrontés aux simulations de dispositif. Une bonne concordance est trouvée. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Diodes En ligne : allard@cegely.insa-lyon.fr [article] Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes = Analyse expérimentale de Poinçon-À travers des conditions dans des diodes de la puissance $P$-$I$- $N$ [texte imprimé] / Ben Salah, Tarek, Auteur ; Buttay, Cyril, Auteur . - 13-20 p. Electronique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°1 (Janvier 2007) . - 13-20 p. Mots-clés : Avalanche  p-type  Intrinsic  n-type  (P-I-N)  Diode  Punch-through  (PT)  Reverse-recovery  Avalanche  Intrinsèque  Diode  Passer  à  travers  Rétablissement  renversé Index. décimale : 621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées Résumé : Commercial power diodes are optimized to feature punch-through behavior. However, a tradeoff between the width and the doping level of the diode epitaxial layer leads to various levels of optimization. For a given breakdown voltage, a shorter epitaxial layer width leads to better transient performances. Device datasheets do not cover this issue and a simple experimental setup is presented to assess the optimization conditions inside the diode epitaxial layer. Three commercial devices are tested and experimental results are confronted to device simulations. A good agreement is found. Des diodes commerciales de puissance sont optimisées pour comporter poinçon-à travers le comportement. Cependant, une différence entre la largeur et le niveau enduisant de la couche épitaxiale de diode mène à de divers niveaux d'optimisation. Pour une tension claque indiquée, une largeur épitaxiale plus courte de couche mène à améliorer des exécutions passagères. Les datasheets de dispositif ne couvrent pas cette question et une installation expérimentale simple est présentée pour évaluer les conditions d'optimisation à l'intérieur de la couche épitaxiale de diode. Trois dispositifs commerciaux sont examinés et des résultats expérimentaux sont confrontés aux simulations de dispositif. Une bonne concordance est trouvée. DEWEY : 621 ISSN : 0885-8993 RAMEAU : Diodes En ligne : allard@cegely.insa-lyon.fr