[article]
| Titre : |
Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes |
| Titre original : |
Analyse expérimentale de Poinçon-À travers des conditions dans des diodes de la puissance $P$-$I$- $N$ |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Ben Salah, Tarek, Auteur ; Buttay, Cyril, Auteur |
| Année de publication : |
2007 |
| Article en page(s) : |
13-20 p. |
| Note générale : |
Electronique |
| Langues : |
Anglais (eng) |
| Mots-clés : |
Avalanche p-type Intrinsic n-type (P-I-N) Diode Punch-through (PT) Reverse-recovery Intrinsèque Passer à travers Rétablissement renversé |
| Index. décimale : |
621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées
|
| Résumé : |
Commercial power diodes are optimized to feature punch-through behavior. However, a tradeoff between the width and the doping level of the diode epitaxial layer leads to various levels of optimization. For a given breakdown voltage, a shorter epitaxial layer width leads to better transient performances. Device datasheets do not cover this issue and a simple experimental setup is presented to assess the optimization conditions inside the diode epitaxial layer. Three commercial devices are tested and experimental results are confronted to device simulations. A good agreement is found.
Des diodes commerciales de puissance sont optimisées pour comporter poinçon-à travers le comportement. Cependant, une différence entre la largeur et le niveau enduisant de la couche épitaxiale de diode mène à de divers niveaux d'optimisation. Pour une tension claque indiquée, une largeur épitaxiale plus courte de couche mène à améliorer des exécutions passagères. Les datasheets de dispositif ne couvrent pas cette question et une installation expérimentale simple est présentée pour évaluer les conditions d'optimisation à l'intérieur de la couche épitaxiale de diode. Trois dispositifs commerciaux sont examinés et des résultats expérimentaux sont confrontés aux simulations de dispositif. Une bonne concordance est trouvée. |
| DEWEY : |
621 |
| ISSN : |
0885-8993 |
| RAMEAU : |
Diodes |
| En ligne : |
allard@cegely.insa-lyon.fr |
in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°1 (Janvier 2007) . - 13-20 p.
[article] Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes = Analyse expérimentale de Poinçon-À travers des conditions dans des diodes de la puissance $P$-$I$- $N$ [texte imprimé] / Ben Salah, Tarek, Auteur ; Buttay, Cyril, Auteur . - 2007 . - 13-20 p. Electronique Langues : Anglais ( eng) in IEEE transactions on power electronics > Vol. 22 N°1 (Janvier 2007) . - 13-20 p.
| Mots-clés : |
Avalanche p-type Intrinsic n-type (P-I-N) Diode Punch-through (PT) Reverse-recovery Intrinsèque Passer à travers Rétablissement renversé |
| Index. décimale : |
621.31 Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées
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| Résumé : |
Commercial power diodes are optimized to feature punch-through behavior. However, a tradeoff between the width and the doping level of the diode epitaxial layer leads to various levels of optimization. For a given breakdown voltage, a shorter epitaxial layer width leads to better transient performances. Device datasheets do not cover this issue and a simple experimental setup is presented to assess the optimization conditions inside the diode epitaxial layer. Three commercial devices are tested and experimental results are confronted to device simulations. A good agreement is found.
Des diodes commerciales de puissance sont optimisées pour comporter poinçon-à travers le comportement. Cependant, une différence entre la largeur et le niveau enduisant de la couche épitaxiale de diode mène à de divers niveaux d'optimisation. Pour une tension claque indiquée, une largeur épitaxiale plus courte de couche mène à améliorer des exécutions passagères. Les datasheets de dispositif ne couvrent pas cette question et une installation expérimentale simple est présentée pour évaluer les conditions d'optimisation à l'intérieur de la couche épitaxiale de diode. Trois dispositifs commerciaux sont examinés et des résultats expérimentaux sont confrontés aux simulations de dispositif. Une bonne concordance est trouvée. |
| DEWEY : |
621 |
| ISSN : |
0885-8993 |
| RAMEAU : |
Diodes |
| En ligne : |
allard@cegely.insa-lyon.fr |
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