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Conception et simulation des amplificateurs micro ondes à large bande / Mekentichi, Abdelmoumene 

Public ISBD Titre : Conception et simulation des amplificateurs micro ondes à large bande Type de document : texte imprimé Auteurs : Mekentichi, Abdelmoumene, Auteur ; Mohellebi, Reda, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2007 Importance : 65 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2007 Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur Bande  passante Coefficient  de  réflexion Conception  gain Stabilité Index. décimale : PN00807 Résumé : Actuellement, Les quantités d’information à traiter ou à transmettre ne cessent d’augmenter, ceci qui nécessite la conception de dispositifs à large bande tels que les amplificateurs. Dans ce cadre, nous nous sommes attelés à étudier et à mettre en oeuvre deux techniques de conception simples, l’une graphique recourant à l’abaque de Smith et concerne le transistor bipolaire et l’autre basée sur la synthèse d’impédances associés au transistor a effet de champ. Suite à cela, nous avons conçu deux types d’amplificateurs. Le premier présente un gain 8.57dB et une bande passante de 1 à 3 GHz. Le second pressente un gain de 10 dB, dans la bande passante 6 à 12 GHZ. Les circuits de polarisation, ont fait également l’objet d’une étude dans le domaine fréquentiel car ils conditionnent fortement les caractéristiques de l’amplificateur. Le mémoire est organisé en cinq chapitres: Le premier chapitre consacré à la présentation de quelques caractéristiques des amplificateurs (architecture, gain…). Le deuxième Chapitre porte sur l’analyse des amplificateurs micro ondes en ce qui concerne les différents gains, étude de stabilité et l’adaptation. Le troisième chapitre à comme objectif d’introduire les composants passifs et actifs susceptibles d’être utilisés dans les amplificateurs à transistors micro ondes. Le quatrième chapitre expose une étude des pertes d’insertion en fonction de la fréquence des deux circuits de polarisation le premier constituer de deux ligne quart d’onde et le deuxième appelé stub radial. Le cinquième chapitre aura trait aux techniques de conception des amplificateurs large bande et leurs simulations avec le logiciel « Microwave Office ». Une conclusion achève ce travail. Conception et simulation des amplificateurs micro ondes à large bande [texte imprimé] / Mekentichi, Abdelmoumene, Auteur ; Mohellebi, Reda, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2007 . - 65 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2007 Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur Bande  passante Coefficient  de  réflexion Conception  gain Stabilité Index. décimale : PN00807 Résumé : Actuellement, Les quantités d’information à traiter ou à transmettre ne cessent d’augmenter, ceci qui nécessite la conception de dispositifs à large bande tels que les amplificateurs. Dans ce cadre, nous nous sommes attelés à étudier et à mettre en oeuvre deux techniques de conception simples, l’une graphique recourant à l’abaque de Smith et concerne le transistor bipolaire et l’autre basée sur la synthèse d’impédances associés au transistor a effet de champ. Suite à cela, nous avons conçu deux types d’amplificateurs. Le premier présente un gain 8.57dB et une bande passante de 1 à 3 GHz. Le second pressente un gain de 10 dB, dans la bande passante 6 à 12 GHZ. Les circuits de polarisation, ont fait également l’objet d’une étude dans le domaine fréquentiel car ils conditionnent fortement les caractéristiques de l’amplificateur. Le mémoire est organisé en cinq chapitres: Le premier chapitre consacré à la présentation de quelques caractéristiques des amplificateurs (architecture, gain…). Le deuxième Chapitre porte sur l’analyse des amplificateurs micro ondes en ce qui concerne les différents gains, étude de stabilité et l’adaptation. Le troisième chapitre à comme objectif d’introduire les composants passifs et actifs susceptibles d’être utilisés dans les amplificateurs à transistors micro ondes. Le quatrième chapitre expose une étude des pertes d’insertion en fonction de la fréquence des deux circuits de polarisation le premier constituer de deux ligne quart d’onde et le deuxième appelé stub radial. Le cinquième chapitre aura trait aux techniques de conception des amplificateurs large bande et leurs simulations avec le logiciel « Microwave Office ». Une conclusion achève ce travail.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
PN00807	PN00807	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Projet Fin d'Etudes	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

Documents numériques

MEKENTICHI.Abdelmoumene_MOHELLEBI.Reda.pdf URL