Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) / Bouarroudj, Habiba (1984) 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) Type de document : texte imprimé Auteurs : Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse Editeur : Bab Ezzouar : [s.n.] Année de publication : 1984 Importance : 128 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure M.I.S.S. Énergie -- solaire Structures Métal-Isolant-Semi-conducteur Index. décimale : M004784 Résumé : Le but de ce travail est de contribuer à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semiconducteur-semiconducteur (M.I.S.S.), les éléments essentiels constituant cette structure sont respectivement: la jonction PN au silicium monocristallin, la couche isolante d'oxyde de silicium SiO2 et la couche transparente d'oxyde d'étain SnO2. Nous avons caractérisé ces structures au moyen de la caractéristique courant-tension (I-V) à l'obscurité et sous éclairement. Parallèlement, l'étude théorique de ces hétérostructures à été approfondie notamment au moyen des théories de transport des structures PN, MS et M.I.S. Dans un premier chapitre, nous donnons brièvement les matériaux constitutifs de la structure M.I.S.S.: jonction PN-oxyde de silicium-oxyde d'étain. Dans le deuxième chapitre, nous présenterons la théorie de transport dans la structure M.I.S.S. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation de la structure M.I.S.S. et ses principaux domaines d'application, effet photovoltaïque et commutation rapide. Dans le dernier chapitre, nous donnons les procédés de fabrication de ces hétérostructures et leur caractérisation. Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) [texte imprimé] / Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1984 . - 128 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure M.I.S.S. Énergie -- solaire Structures Métal-Isolant-Semi-conducteur Index. décimale : M004784 Résumé : Le but de ce travail est de contribuer à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semiconducteur-semiconducteur (M.I.S.S.), les éléments essentiels constituant cette structure sont respectivement: la jonction PN au silicium monocristallin, la couche isolante d'oxyde de silicium SiO2 et la couche transparente d'oxyde d'étain SnO2. Nous avons caractérisé ces structures au moyen de la caractéristique courant-tension (I-V) à l'obscurité et sous éclairement. Parallèlement, l'étude théorique de ces hétérostructures à été approfondie notamment au moyen des théories de transport des structures PN, MS et M.I.S. Dans un premier chapitre, nous donnons brièvement les matériaux constitutifs de la structure M.I.S.S.: jonction PN-oxyde de silicium-oxyde d'étain. Dans le deuxième chapitre, nous présenterons la théorie de transport dans la structure M.I.S.S. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation de la structure M.I.S.S. et ses principaux domaines d'application, effet photovoltaïque et commutation rapide. Dans le dernier chapitre, nous donnons les procédés de fabrication de ces hétérostructures et leur caractérisation.

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Etude et réalisation de convertisseurs numérique-analogique et analogique-numérique / Bouarroudj, Habiba (1981) 

Public ISBD Titre : Etude et réalisation de convertisseurs numérique-analogique et analogique-numérique Type de document : texte imprimé Auteurs : Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Demri, Boualem, Auteur ; Kacimi, M., Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1981 Importance : Mult. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie d'Alger . École Nationale Polytechnique : 1981 Annexes [18] f. - Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Échantillonnage Multiplexage Analogique-numérique Convertisseurs numérique-analogique Index. décimale : PN01081 Résumé : Ce travail consiste en l'étude et la réalisation des convertisseurs et il est divisé en six parties. 1) réservée à des généralités dont l'intérêt de la conversion. 2) étude des caractéristiques des composants utilisés dans la réalisation des convertisseurs. 3) étude théorique de la conversion, définir les caractéristiques ainsi que le principe de fonctionnement des convertisseurs numériques-analogiques et analogique-numériques. 4) présenter les principaux convertisseurs réalisés. 5) étude de l'échantillonnage et du multiplexage. 6) donne un aperçu sur le domaine d'application des convertisseurs. Etude et réalisation de convertisseurs numérique-analogique et analogique-numérique [texte imprimé] / Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Demri, Boualem, Auteur ; Kacimi, M., Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1981 . - Mult. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie d'Alger . École Nationale Polytechnique : 1981 Annexes [18] f. - Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Échantillonnage Multiplexage Analogique-numérique Convertisseurs numérique-analogique Index. décimale : PN01081 Résumé : Ce travail consiste en l'étude et la réalisation des convertisseurs et il est divisé en six parties. 1) réservée à des généralités dont l'intérêt de la conversion. 2) étude des caractéristiques des composants utilisés dans la réalisation des convertisseurs. 3) étude théorique de la conversion, définir les caractéristiques ainsi que le principe de fonctionnement des convertisseurs numériques-analogiques et analogique-numériques. 4) présenter les principaux convertisseurs réalisés. 5) étude de l'échantillonnage et du multiplexage. 6) donne un aperçu sur le domaine d'application des convertisseurs.

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