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Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique / Aoucher, Moussa 

Public ISBD Titre : Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique : Etude d'un recuit thermique Type de document : texte imprimé Auteurs : Aoucher, Moussa, Auteur ; Benmalek, M., Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1984 Importance : 114 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Énergie Solaire : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Annexe f. 117 - 125 . Bibliogr. f. 129 - 135 Langues : Français (fre) Mots-clés : Conversion  --  photovoltaïque  ;  Amorphe  --  tétracoordinés  ;  Semiconducteur Index. décimale : M005385 Résumé : Notre contribution porte sur l'étude de l'évolution induite par les effets du recuit thermique. L'étude est menée sur des couches de silicium amorphe obtenues par évaporation au canon à électrons. Pour caractériser cette évolution, nous avons choisi deux propriétés électroniques: les variations de l'absorption optique en fonction de l'énergie de photon et de la conductivité électrique en fonction de la température. Ces deux propriétés font intervenir les états localisés qui dépendent de la préparation. Dans la première partie de ce travail, nous rappelons les modèles d'arrangements atomiques proposés pour les semiconducteurs amorphes tétracoordinés et le concept fondamental de la structure électronique. Nous pouvons alors décrire les processus d'absorption optique et les processus de transports des porteurs. La seconde partie décrit la préparation des couches amorphes en insistant sur les techniques de caractérisations et la procédure du recuit thermique. Dans la troisième partie nous reportons les résultats expérimentaux, leurs interprétations et leurs discussions. Dans cette partie une analyse de la variation irréversible de la conductivité au cours du recuit isotherme est proposée. Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique : Etude d'un recuit thermique [texte imprimé] / Aoucher, Moussa, Auteur ; Benmalek, M., Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1984 . - 114 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Énergie Solaire : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Annexe f. 117 - 125 . Bibliogr. f. 129 - 135 Langues : Français (fre) Mots-clés : Conversion  --  photovoltaïque  ;  Amorphe  --  tétracoordinés  ;  Semiconducteur Index. décimale : M005385 Résumé : Notre contribution porte sur l'étude de l'évolution induite par les effets du recuit thermique. L'étude est menée sur des couches de silicium amorphe obtenues par évaporation au canon à électrons. Pour caractériser cette évolution, nous avons choisi deux propriétés électroniques: les variations de l'absorption optique en fonction de l'énergie de photon et de la conductivité électrique en fonction de la température. Ces deux propriétés font intervenir les états localisés qui dépendent de la préparation. Dans la première partie de ce travail, nous rappelons les modèles d'arrangements atomiques proposés pour les semiconducteurs amorphes tétracoordinés et le concept fondamental de la structure électronique. Nous pouvons alors décrire les processus d'absorption optique et les processus de transports des porteurs. La seconde partie décrit la préparation des couches amorphes en insistant sur les techniques de caractérisations et la procédure du recuit thermique. Dans la troisième partie nous reportons les résultats expérimentaux, leurs interprétations et leurs discussions. Dans cette partie une analyse de la variation irréversible de la conductivité au cours du recuit isotherme est proposée.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M005385	M005385	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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