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Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique : etude d'un recuit thermique

Aoucher, Moussa, Auteur ; Benmalek, M., Directeur de thèse | Bab Ezzouar : [s.n.] | 1984

Notre contribution porte sur l'étude de l'évolution induite par les effets du recuit thermique. L'étude est menée sur des couches de silicium amorphe obtenues par évaporation au canon à électrons. Pour caractériser cette évolution, nous avons [...]

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