Les Inscriptions à la Bibliothèque sont ouvertes en
ligne via le site: https://biblio.enp.edu.dz
Les Réinscriptions se font à :
• La Bibliothèque Annexe pour les étudiants en
2ème Année CPST
• La Bibliothèque Centrale pour les étudiants en Spécialités
A partir de cette page vous pouvez :
Retourner au premier écran avec les recherches... |
Détail de l'auteur
Auteur Hannani, Ahmed
Documents disponibles écrits par cet auteur
Affiner la recherche
Titre : Etude des composés semi-conducteurs ternaires à structure chalcopyrite Type de document : texte imprimé Auteurs : Hannani, Ahmed, Auteur ; Rebbah, A., Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1985 Importance : 78 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Génie Chimique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985
Bibliogr. [3] fLangues : Français (fre) Mots-clés : Structure chalcopyrite ; Cristallogénèse ; Composés semi-conducteurs ; Radiocristallographie ; Microscopie -- électronique ; Solides Index. décimale : M006385 Résumé : Notre étude portera principalement sur les propriétés électriques d'une des principales familles des composés ternaires de structure chalcopyrite de formule générale II-IV-V2 qui sont des semi-conducteurs.
Dans la famille II-IV-V2, nous avons porté un grand intérêt au composé Cd GeAs, qui est un représentant typique.
En effet il est un candidat potentiellement important pour les applications en optique non linéaire.
Nous avons jugé utile de scinder cette étude en trois parties:
- La première partie est consacrée à une étude théorique de la structure chalcopyrite.
- La deuxième partie est basée essentiellement sur une étude pour l'amélioration des conditions de cristallogénèse pour obtenir des cristaux massifs et de meilleure qualité optique.
- La troisième partie est consacrée à l'étude des propriétés électriques (Effet Hall, conductivité, mobilité et l'effet Seebeck) du composé Cd Ge As2.Etude des composés semi-conducteurs ternaires à structure chalcopyrite [texte imprimé] / Hannani, Ahmed, Auteur ; Rebbah, A., Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1985 . - 78 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Génie Chimique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985
Bibliogr. [3] f
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Structure chalcopyrite ; Cristallogénèse ; Composés semi-conducteurs ; Radiocristallographie ; Microscopie -- électronique ; Solides Index. décimale : M006385 Résumé : Notre étude portera principalement sur les propriétés électriques d'une des principales familles des composés ternaires de structure chalcopyrite de formule générale II-IV-V2 qui sont des semi-conducteurs.
Dans la famille II-IV-V2, nous avons porté un grand intérêt au composé Cd GeAs, qui est un représentant typique.
En effet il est un candidat potentiellement important pour les applications en optique non linéaire.
Nous avons jugé utile de scinder cette étude en trois parties:
- La première partie est consacrée à une étude théorique de la structure chalcopyrite.
- La deuxième partie est basée essentiellement sur une étude pour l'amélioration des conditions de cristallogénèse pour obtenir des cristaux massifs et de meilleure qualité optique.
- La troisième partie est consacrée à l'étude des propriétés électriques (Effet Hall, conductivité, mobilité et l'effet Seebeck) du composé Cd Ge As2.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M006385 M006385 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
HANNANI.Ahmed.pdfURL