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Auteur Aksas, Rabia
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Affiner la rechercheAmplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. / Trabelsi, Mohamed
Titre : Amplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1988 Importance : 98 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1988
Annexe [40] f. Bibliogr. [3] f.Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur micro-onde; Micro-onde à faible bruit; Réseau T.V.D.S; Photolithogravure; Transistor à bande étroite Index. décimale : M001488 Résumé :
Le but de notre travail est d'étudier et de réaliser, en technologie hybride, cet amplificateur qui doit être à bande étroite (3,3% de bande relative) et à faible bruit.
Le rapport coût-performance régit le choix entre les deux catégories d'amplificateurs micro-ondes qui sont:
- Amplificateurs à transistors (bipolaire et à effet de champ);
- Amplificateur à réflexion (diodes Gunn, Impatt et Tunnel).
Une évolution rapide s'est produite ces dernières années dans la technologie des composants semi-conducteurs micro-ondes et , plus particulièrement, celle des transistors à effet de champ à l'arseniure de gallium (MESFET GaAs) qui sont caractérisés par un gain élevé en puissance (de l'ordre de 10 dB à 12 GHz) et par un faible facteur de bruit (de l'ordre de 1,5 dB à 12 GHz).
Associé à la technologie des lignes à microbande, le transistor MESFET GaAs répond aux contraintes imposées, par le réseau de T.V.D.S, à notre dispositif.
Nous avons, tout d'abord, passé en revue l'analyse des amplificateurs micro-ondes par la matrice de répartition, ce qui nous a permis de déterminer les caractéristiques de notre circuit (gain, coefficients de réflexion et facteur de bruit).
Nous avons, ensuite, conçu deux méthodes d'optimisation de la bande passante.
La première, développée à partir d'une structure connue, est simple mais restrictive, ce qui nous a amenés à concevoir la deuxième méthode qui est basée sur une structure plus générale et dont la mise en oeuvre nécessite un programme de résolution de système d'équations non linéaires que nous avons élaboré au niveau du laboratoire de télécommunications.
Nous avons également, développé un programme de synthèse des circuits intégrés micro-ondes, basé sur les expressions de conception des dispositifs passifs à microruban, et un programme d'analyse C.A.O. (conception assisté par ordinateur).
Nous avons, enfin, utilisé le DUROID RT 6010 comme substrat sur lequel nous avons gravé les circuits passifs grâce à la technique de la photolithogravure.Amplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. [texte imprimé] / Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1988 . - 98 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1988
Annexe [40] f. Bibliogr. [3] f.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Amplificateur micro-onde; Micro-onde à faible bruit; Réseau T.V.D.S; Photolithogravure; Transistor à bande étroite Index. décimale : M001488 Résumé :
Le but de notre travail est d'étudier et de réaliser, en technologie hybride, cet amplificateur qui doit être à bande étroite (3,3% de bande relative) et à faible bruit.
Le rapport coût-performance régit le choix entre les deux catégories d'amplificateurs micro-ondes qui sont:
- Amplificateurs à transistors (bipolaire et à effet de champ);
- Amplificateur à réflexion (diodes Gunn, Impatt et Tunnel).
Une évolution rapide s'est produite ces dernières années dans la technologie des composants semi-conducteurs micro-ondes et , plus particulièrement, celle des transistors à effet de champ à l'arseniure de gallium (MESFET GaAs) qui sont caractérisés par un gain élevé en puissance (de l'ordre de 10 dB à 12 GHz) et par un faible facteur de bruit (de l'ordre de 1,5 dB à 12 GHz).
Associé à la technologie des lignes à microbande, le transistor MESFET GaAs répond aux contraintes imposées, par le réseau de T.V.D.S, à notre dispositif.
Nous avons, tout d'abord, passé en revue l'analyse des amplificateurs micro-ondes par la matrice de répartition, ce qui nous a permis de déterminer les caractéristiques de notre circuit (gain, coefficients de réflexion et facteur de bruit).
Nous avons, ensuite, conçu deux méthodes d'optimisation de la bande passante.
La première, développée à partir d'une structure connue, est simple mais restrictive, ce qui nous a amenés à concevoir la deuxième méthode qui est basée sur une structure plus générale et dont la mise en oeuvre nécessite un programme de résolution de système d'équations non linéaires que nous avons élaboré au niveau du laboratoire de télécommunications.
Nous avons également, développé un programme de synthèse des circuits intégrés micro-ondes, basé sur les expressions de conception des dispositifs passifs à microruban, et un programme d'analyse C.A.O. (conception assisté par ordinateur).
Nous avons, enfin, utilisé le DUROID RT 6010 comme substrat sur lequel nous avons gravé les circuits passifs grâce à la technique de la photolithogravure.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M001488 M001488 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
TRABELSI.Mohamed.pdfURL
Titre : Amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S Type de document : texte imprimé Auteurs : Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1991 Importance : 61 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1991
Annexe [11] f. Bibliogr. [2] f.Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur micro-onde; Fréquence intermédiaire T.V.D.S Index. décimale : M002091 Résumé :
L'objet de notre travail consiste à compléter cette chaîne de reception par l'adjonction d'un amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire (1.1 GHz) en tenant compte à la fois des normes internationales de la T.V.D.S et des réalisations précédentes comme cahier de charges (impédance et puissance à la sortie du mélangeur).
Cet amplificateur doit avoir un gain maximum (transfert maximum de puissance à la charge) et constant sur une large bande de fréquence (bande relative de 40 %) et il doit être adaptable aux dispositifs en amont et en aval (démodulateur FM).
Le choix de l'élément actif utilisé en amplification micro-onde est régi par le rapport coût-performances.
L'evolution rapide de la technologie hybride, plus particulièrement celle du transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs) est d'un apport considérable en micro-onde.
Néanmoins, malgré leur limitation en fréquences (fréquence de transition inférieur à 5 GHz), les transistors bipolaires peuvent assumer le même rôle pour une amplification des signaux de fréquences allant jusqu'à 2 GHz.
La destination commerciale du produit, associé aux données de réalisation, nous a permis d'adopter le transistor bipolaire à technologie planaire à savoir le BFR 91 aisément adapté à la technologie microruban et aux structures (réseaux) passives associées.
Nous avons d'abord traiter la théorie des multipôles nécessaire à l'analyse ainsi qu'à la synthèse des réseaux actifs et passifs.
La théorie d'adaptation à large bande a été bien développée afin de ressortir les différents critères de stabilités et de faisabilité.
Un programme (A.N.A.M), associé à cette méthode a été élacoré pour déterminer entre autres les éléments constituants les réseaux passifs associés au transistor.
Dans le but d'obtenir des structures passives optimums, nous avons utilisé une méthode itérative récente, qui associée à un programme d'optimisation (N.U.M.M), permet d'obtenir un produit fini ne nécessitant aucune correction, réalisable par la C.A.O.
Enfin l'amplificateur a été réalisé sur un substrat de faible pertes (DUROID 5880) à l'aide de la technique de la photogravure et des mesures expérimentales ont été effectuées avec un analyseur de réseau automatique HP 8409C à système de visualisation polaire et à polarisation autonome.
L'interprétation des résultats théoriques et expérimentaux, nous a permis de juger d'un œil critique les performances de ces méthodes et ce afin de ressortir l'opportunité de leur application.Amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S [texte imprimé] / Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1991 . - 61 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1991
Annexe [11] f. Bibliogr. [2] f.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Amplificateur micro-onde; Fréquence intermédiaire T.V.D.S Index. décimale : M002091 Résumé :
L'objet de notre travail consiste à compléter cette chaîne de reception par l'adjonction d'un amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire (1.1 GHz) en tenant compte à la fois des normes internationales de la T.V.D.S et des réalisations précédentes comme cahier de charges (impédance et puissance à la sortie du mélangeur).
Cet amplificateur doit avoir un gain maximum (transfert maximum de puissance à la charge) et constant sur une large bande de fréquence (bande relative de 40 %) et il doit être adaptable aux dispositifs en amont et en aval (démodulateur FM).
Le choix de l'élément actif utilisé en amplification micro-onde est régi par le rapport coût-performances.
L'evolution rapide de la technologie hybride, plus particulièrement celle du transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs) est d'un apport considérable en micro-onde.
Néanmoins, malgré leur limitation en fréquences (fréquence de transition inférieur à 5 GHz), les transistors bipolaires peuvent assumer le même rôle pour une amplification des signaux de fréquences allant jusqu'à 2 GHz.
La destination commerciale du produit, associé aux données de réalisation, nous a permis d'adopter le transistor bipolaire à technologie planaire à savoir le BFR 91 aisément adapté à la technologie microruban et aux structures (réseaux) passives associées.
Nous avons d'abord traiter la théorie des multipôles nécessaire à l'analyse ainsi qu'à la synthèse des réseaux actifs et passifs.
La théorie d'adaptation à large bande a été bien développée afin de ressortir les différents critères de stabilités et de faisabilité.
Un programme (A.N.A.M), associé à cette méthode a été élacoré pour déterminer entre autres les éléments constituants les réseaux passifs associés au transistor.
Dans le but d'obtenir des structures passives optimums, nous avons utilisé une méthode itérative récente, qui associée à un programme d'optimisation (N.U.M.M), permet d'obtenir un produit fini ne nécessitant aucune correction, réalisable par la C.A.O.
Enfin l'amplificateur a été réalisé sur un substrat de faible pertes (DUROID 5880) à l'aide de la technique de la photogravure et des mesures expérimentales ont été effectuées avec un analyseur de réseau automatique HP 8409C à système de visualisation polaire et à polarisation autonome.
L'interprétation des résultats théoriques et expérimentaux, nous a permis de juger d'un œil critique les performances de ces méthodes et ce afin de ressortir l'opportunité de leur application.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M002091 M002091 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
OUCHAR.Ali.pdfURL
Titre : Analyse d'antenne microruban avec éléments parasites à l'aide de l'équation intégrale résolue dans le domaine spectrale Type de document : texte imprimé Auteurs : Azrar, Arab, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1998 Importance : 111 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1998
Bibliogr. f. 94 - 101. Annexe f. 102 - 111Langues : Français (fre) Mots-clés : Antenne microruban
Élément parasite coplanaire
Bande passante
Diagramme de rayonnementIndex. décimale : M002298 Résumé : Les fonctions de Green exactes, qui comptent l'effet des ondes de surface, sont utilisées pour écrire l'équation intégrale du champ électrique pour une antenne microruban de forme arbitraire.
L'analyse présenté englobe les effets du rayonnement de la structure microruban sans faire une connaissance préalable des sources et sans supposition simplificatrices.
La technique de Galerkin de la méthode des moments est utilisée pour obtenir une solution numérique des sources de rayonnement par la résolution de l'équation intégrale.
L'application de ce formalisme à une antenne isolé de forme rectangulaire indique que l'antenne microruban est une structure à bande étroite qui rayonne des ondes électromagnétique de forme << broadside >> sans lobes latérales.
L'effet des divers paramètres est donné et discuté.
De plus, la méthode << full-wave >> a été appliquée à une antenne microruban opérant à haute fréquence (24.5 GHz).
Les résultats obtenus sont satisfaisants. Ces résultats montre que lorsque on augmente dans la fréquence, la bande passante de l'antenne microruban augmente.
Le modèle développé est appliqué à un patch carré excité proprement en un point résultant d'une polarisation circulaire.
Le seul point d'excitation permet d'éviter les problèmes inhérente à une excitation dual.
A l'aide de ce formalisme on a trouvé que l'utilisation des éléments parasites à proximité du patch pilote permet aussi bien une augmentation de la bande passante que de la directivité, mais au détriment le diagramme de rayonnement.
De plus, ces structures garde un caractère planaire.
Même si actuellement les moyens informatiques sont puissant, il est utile d'introduire de nouvelles techniques permettant de réduire encore le temps de calcule.
On pourra alors élabirer des programmes d'optimisation les caractéristiques physiques des structures pour exigence radioélectrique donnée.En ligne : www.intranet.enp.edu Analyse d'antenne microruban avec éléments parasites à l'aide de l'équation intégrale résolue dans le domaine spectrale [texte imprimé] / Azrar, Arab, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1998 . - 111 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1998
Bibliogr. f. 94 - 101. Annexe f. 102 - 111
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Antenne microruban
Élément parasite coplanaire
Bande passante
Diagramme de rayonnementIndex. décimale : M002298 Résumé : Les fonctions de Green exactes, qui comptent l'effet des ondes de surface, sont utilisées pour écrire l'équation intégrale du champ électrique pour une antenne microruban de forme arbitraire.
L'analyse présenté englobe les effets du rayonnement de la structure microruban sans faire une connaissance préalable des sources et sans supposition simplificatrices.
La technique de Galerkin de la méthode des moments est utilisée pour obtenir une solution numérique des sources de rayonnement par la résolution de l'équation intégrale.
L'application de ce formalisme à une antenne isolé de forme rectangulaire indique que l'antenne microruban est une structure à bande étroite qui rayonne des ondes électromagnétique de forme << broadside >> sans lobes latérales.
L'effet des divers paramètres est donné et discuté.
De plus, la méthode << full-wave >> a été appliquée à une antenne microruban opérant à haute fréquence (24.5 GHz).
Les résultats obtenus sont satisfaisants. Ces résultats montre que lorsque on augmente dans la fréquence, la bande passante de l'antenne microruban augmente.
Le modèle développé est appliqué à un patch carré excité proprement en un point résultant d'une polarisation circulaire.
Le seul point d'excitation permet d'éviter les problèmes inhérente à une excitation dual.
A l'aide de ce formalisme on a trouvé que l'utilisation des éléments parasites à proximité du patch pilote permet aussi bien une augmentation de la bande passante que de la directivité, mais au détriment le diagramme de rayonnement.
De plus, ces structures garde un caractère planaire.
Même si actuellement les moyens informatiques sont puissant, il est utile d'introduire de nouvelles techniques permettant de réduire encore le temps de calcule.
On pourra alors élabirer des programmes d'optimisation les caractéristiques physiques des structures pour exigence radioélectrique donnée.En ligne : www.intranet.enp.edu Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M002298 M002298 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
AZRAR.Arab.pdfURL
Titre : Analyse d'une antenne Yagi en technologie microruban par la méthode de l'équation intégrale Type de document : texte imprimé Auteurs : Semmar, Bedri, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2002 Importance : 82 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002
Bibliogr. f. 68 -71 . Annexe f. 72 - 82Langues : Français (fre) Mots-clés : Antenne Yagi à éléments micro-rubans
Equation intégrale
Méthode des moments Fonctions de base/test Impédance d'entrée Bande passante Taux d'onde stationnaires Champ rayonné DirectivitéIndex. décimale : M002002 Résumé : L'équation intégrale d'une structure micro-ruban est résolue dans le domaine spectral à l'aide de la méthode des moments; la résolution de cette équation permet de déterminer les courants surfaciques de multiples structures micro-rubans (patch isolé et structures avec éléments parasites), chose permettant de déterminer les caractéristiques radioélectriques des structures étudiées (impédance d'entrée, champ rayonné...).
L'ajout des éléments parasites d'une manière judicieuse permet d'une part d'augmenter la bande passante et, d'autre part, d'orienter le maximum de rayonnement dans une direction désirée.
La directivité est également améliorée.
Une application de cette technique est "l'antenne Yagi à éléments micro-ruban".Analyse d'une antenne Yagi en technologie microruban par la méthode de l'équation intégrale [texte imprimé] / Semmar, Bedri, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2002 . - 82 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002
Bibliogr. f. 68 -71 . Annexe f. 72 - 82
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Antenne Yagi à éléments micro-rubans
Equation intégrale
Méthode des moments Fonctions de base/test Impédance d'entrée Bande passante Taux d'onde stationnaires Champ rayonné DirectivitéIndex. décimale : M002002 Résumé : L'équation intégrale d'une structure micro-ruban est résolue dans le domaine spectral à l'aide de la méthode des moments; la résolution de cette équation permet de déterminer les courants surfaciques de multiples structures micro-rubans (patch isolé et structures avec éléments parasites), chose permettant de déterminer les caractéristiques radioélectriques des structures étudiées (impédance d'entrée, champ rayonné...).
L'ajout des éléments parasites d'une manière judicieuse permet d'une part d'augmenter la bande passante et, d'autre part, d'orienter le maximum de rayonnement dans une direction désirée.
La directivité est également améliorée.
Une application de cette technique est "l'antenne Yagi à éléments micro-ruban".Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M002002 M002002 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
SEMMAR.Bedri.pdfURL
Titre : Analyse d'antennes microrubans adaptée à la CAO : influence d'une éxcitation par couplage à travers une fente dans le plan de masse Type de document : texte imprimé Auteurs : Djamel Boukerroui, Auteur ; Salim Chabour, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1995 Importance : 60 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1995
Bibliogr. f. 61-66 . - Annexe f. 67-76Langues : Français (fre) Mots-clés : Antennes micro-rubans
Techniques d'analyse
Caractéristiques radioélectriques
APM
Antenne monocouche
Impédance d'entréeIndex. décimale : PN00495 Résumé : Bénéficiant des plus récentes améliorations apportées aux antennes microrubans (couche protectrice, nouvelles configurations d'alimentation...), on présente dans ce travail des méthodes simples et rapides s'adaptant aux programmes de conception assistée par ordinateuer (CAO) et ce, pour le calcul de quelques caractéristiques (fréquence de résonance et impédance d'entrée) des antennes plaques microrubans (APM) de forme réctangulaire ou circulaire Analyse d'antennes microrubans adaptée à la CAO : influence d'une éxcitation par couplage à travers une fente dans le plan de masse [texte imprimé] / Djamel Boukerroui, Auteur ; Salim Chabour, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1995 . - 60 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1995
Bibliogr. f. 61-66 . - Annexe f. 67-76
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Antennes micro-rubans
Techniques d'analyse
Caractéristiques radioélectriques
APM
Antenne monocouche
Impédance d'entréeIndex. décimale : PN00495 Résumé : Bénéficiant des plus récentes améliorations apportées aux antennes microrubans (couche protectrice, nouvelles configurations d'alimentation...), on présente dans ce travail des méthodes simples et rapides s'adaptant aux programmes de conception assistée par ordinateuer (CAO) et ce, pour le calcul de quelques caractéristiques (fréquence de résonance et impédance d'entrée) des antennes plaques microrubans (APM) de forme réctangulaire ou circulaire Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire PN00495 PN00495 Papier + ressource électronique Bibliothèque centrale Projet Fin d'Etudes Disponible Electronique Consultation sur place/Téléchargeable Documents numériques
BOUKERROUI.Djamel_CHABOUR.Salim.pdfURL
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