| Titre : | Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et propriétés électriques | | Type de document : | texte imprimé | | Auteurs : | Akani, Mohamed, Auteur ; Suryanarayanan, R., Directeur de thèse | | Editeur : | Université Pierre et Marie Curie Paris VI | | Année de publication : | 1986 | | Importance : | 242 f. | | Présentation : | ill. | | Format : | 27 cm. | | Note générale : | Thèse d’État : Science des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986
Annexe f. 243 - 249 . Bibliogr. f. 251 - 255 | | Langues : | Français (fre) | | Mots-clés : | Silicium -- polycristallin ; Plasma ; Propriétés -- électriques | | Index. décimale : | D000886 | | Résumé : | Dans le but de réduire le cout de fabrication des photopiles à base de silicium, nous avons choisi la technique de la projection plasma (TPP).
Cette technique nous a permis d'obtenir des rubans auto supportés ou supportés sur différents substrats avec une vitesse de croissance de 5mm/mn sur une surface de 1 cm² et cela à partir de la poudre de silicium.
Pour une température du substrat de silicium supérieure à 800° c, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas C, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas contraire. Pour obtenir des dépôts de meilleure qualité, nous avons procédé à une optimisation systématique des paramètres de la projection.
Les dépôts contiennent entre 2 et 4 % de porosité.
La densité est de 98 % en moyenne, la résistivité de 1 ohm cm, la mobilité de hall de 5 cm²/V.s et passent respectivement à 99,6 % , 0,01 ohm cm et 40 cm/V.s, après recuit thermique à 1250° C pendant 10 h. la recristallisation par bombardement électronique (RBE) élimine la porosité et fait passer la rétivité de 1 oHm cm, la mobilité de 5 cm²/V.s à 311 cm²/V.s et nombre de porteurs de charges de 3.10¹⁸ cm⁻³ à 10¹⁷ cm⁻³.
L'analyse quantitative des impuretés dans la poudre et les dépôts après chaque étape de traitement a montré que les pièces mécaniques (broyeur,tamis, distributeur de poudre) contaminent la poudre essentiellement en Fe (755 ppm),Ni (140 ppm),AL (90 PPM), tI (55 PPM).
Les régions d'oxydes observées dans les dépôts obtenus à l'air semblent éliminées dans les dépôts obtenu sous atmosphère contrôlée.
Les propriétés électroniques évleunt avec le dopage "in situ " au bore et au phosphore et obéissent au modèle de piégeage au joint de grains.
La croissance des couches CVD sur nos dépôts de silicium élimine la porosité, ces couches ont une résistivité moyenne de 70 ohm cm, une mobilité de hall de plus de 80 cm²/V.S et un nombre de porteurs de charges de 2.10¹⁵ cm⁻³ ,elles possèdent également une orientation préférentielle suivant l'axe (200).
La photoconductivité s'effectue essentiellement par les porteurs majoritaires, l'énergie du gap est de 1,12 eV.
Nous avons réalisé des diodes Schottky pour les mesures de longueur de diffusion LBIC, ces longueurs sont de 12 um en moyenne pour les dépôts plasma et de 28 cm pour les couches CVD.
Obtenus par TTP,les dépôts de similicuir peuvent servir de substrats, après RBR ou dépôt CVD, pour réaliser des piles solaires. |
Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et propriétés électriques [texte imprimé] / Akani, Mohamed, Auteur ; Suryanarayanan, R., Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1986 . - 242 f. : ill. ; 27 cm. Thèse d’État : Science des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986
Annexe f. 243 - 249 . Bibliogr. f. 251 - 255 Langues : Français ( fre) | Mots-clés : | Silicium -- polycristallin ; Plasma ; Propriétés -- électriques | | Index. décimale : | D000886 | | Résumé : | Dans le but de réduire le cout de fabrication des photopiles à base de silicium, nous avons choisi la technique de la projection plasma (TPP).
Cette technique nous a permis d'obtenir des rubans auto supportés ou supportés sur différents substrats avec une vitesse de croissance de 5mm/mn sur une surface de 1 cm² et cela à partir de la poudre de silicium.
Pour une température du substrat de silicium supérieure à 800° c, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas C, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas contraire. Pour obtenir des dépôts de meilleure qualité, nous avons procédé à une optimisation systématique des paramètres de la projection.
Les dépôts contiennent entre 2 et 4 % de porosité.
La densité est de 98 % en moyenne, la résistivité de 1 ohm cm, la mobilité de hall de 5 cm²/V.s et passent respectivement à 99,6 % , 0,01 ohm cm et 40 cm/V.s, après recuit thermique à 1250° C pendant 10 h. la recristallisation par bombardement électronique (RBE) élimine la porosité et fait passer la rétivité de 1 oHm cm, la mobilité de 5 cm²/V.s à 311 cm²/V.s et nombre de porteurs de charges de 3.10¹⁸ cm⁻³ à 10¹⁷ cm⁻³.
L'analyse quantitative des impuretés dans la poudre et les dépôts après chaque étape de traitement a montré que les pièces mécaniques (broyeur,tamis, distributeur de poudre) contaminent la poudre essentiellement en Fe (755 ppm),Ni (140 ppm),AL (90 PPM), tI (55 PPM).
Les régions d'oxydes observées dans les dépôts obtenus à l'air semblent éliminées dans les dépôts obtenu sous atmosphère contrôlée.
Les propriétés électroniques évleunt avec le dopage "in situ " au bore et au phosphore et obéissent au modèle de piégeage au joint de grains.
La croissance des couches CVD sur nos dépôts de silicium élimine la porosité, ces couches ont une résistivité moyenne de 70 ohm cm, une mobilité de hall de plus de 80 cm²/V.S et un nombre de porteurs de charges de 2.10¹⁵ cm⁻³ ,elles possèdent également une orientation préférentielle suivant l'axe (200).
La photoconductivité s'effectue essentiellement par les porteurs majoritaires, l'énergie du gap est de 1,12 eV.
Nous avons réalisé des diodes Schottky pour les mesures de longueur de diffusion LBIC, ces longueurs sont de 12 um en moyenne pour les dépôts plasma et de 28 cm pour les couches CVD.
Obtenus par TTP,les dépôts de similicuir peuvent servir de substrats, après RBR ou dépôt CVD, pour réaliser des piles solaires. |
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