Caractérisation électrique des diodes à jonction PN au silicium / Tarzalt Née Saighi, Houria (1985) 

Public ISBD Titre : Caractérisation électrique des diodes à jonction PN au silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Tarzalt Née Saighi, Houria, Auteur ; Ladjouze, Hamoud, Directeur de thèse Editeur : Bab Ezzouar : [s.n.] Année de publication : 1985 Importance : 78 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985 Annexe f. 80 - 81 . Bibliogr. f. 83 - 85 Langues : Français (fre) Mots-clés : Diodes -- jonctions PN Silicium Caractérisation électrique Index. décimale : M005685 Résumé : Le but de ce travail consiste en une analyse électrique des diodes à jonction PN au silicium fournies par le complexe de Sidi-Bel-Abbes. Les dispositifs que nous avons caractérisés sont des jonctions P+N dont la base a été réalisée par épitaxie en phase vapeur (CVD). Dans le premier chapitre, nous résumerons brièvement les principaux éléments physiques concernant les mécanismes de fonctionnement de la jonction PN. Le chapitre suivant est consacré après avoir défini les principes théoriques de caractérisation des structures à jonction PN, à la description expérimentale des méthodes de caractérisation. Dans un premier lieu, nous nous sommes intéressés à la caractéristique I-V obtenue pour des polarisations directes de la diode. Elle permet d'avoir accès à la densité de courant de saturation Js et au facteur d'idéalité n. Dans un second lieu, la caractérisation met en jeu l'étude des techniques d'analyse des couches épitaxiées. Cette étude a été au moyen de la caractéristique capacité-tension (C-V) de jonction P+N, et de la caractéristique tension. Les principes de deux techniques seront décrits. Les résultats expérimentaux obtenus seront discutés tout en montrant les avantages et limitation de chacune des deux méthodes. En plus, la caractéristique C-²-V conduit à la détermination de la valeur moyenne de la concentration Nd des impuretés dopantes et de la grandeur V intercepté. Enfin, la dernière partie est relative à l'étude du transitoire V(t) destinée à fournir une représentation acceptable de la durée de vie des porteurs minoritaires. La méthode utilisée est l'OCVD "OPEN-CIRCUIT-VOLTAGE-DECAY". A partir de l'analyse des résultats de cette méthode, nous déterminons expérimentalement les durées de vie correspondant au haut niveau d'injection et au bas niveau d'injection. Caractérisation électrique des diodes à jonction PN au silicium [texte imprimé] / Tarzalt Née Saighi, Houria, Auteur ; Ladjouze, Hamoud, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1985 . - 78 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1985 Annexe f. 80 - 81 . Bibliogr. f. 83 - 85 Langues : Français (fre) Mots-clés : Diodes -- jonctions PN Silicium Caractérisation électrique Index. décimale : M005685 Résumé : Le but de ce travail consiste en une analyse électrique des diodes à jonction PN au silicium fournies par le complexe de Sidi-Bel-Abbes. Les dispositifs que nous avons caractérisés sont des jonctions P+N dont la base a été réalisée par épitaxie en phase vapeur (CVD). Dans le premier chapitre, nous résumerons brièvement les principaux éléments physiques concernant les mécanismes de fonctionnement de la jonction PN. Le chapitre suivant est consacré après avoir défini les principes théoriques de caractérisation des structures à jonction PN, à la description expérimentale des méthodes de caractérisation. Dans un premier lieu, nous nous sommes intéressés à la caractéristique I-V obtenue pour des polarisations directes de la diode. Elle permet d'avoir accès à la densité de courant de saturation Js et au facteur d'idéalité n. Dans un second lieu, la caractérisation met en jeu l'étude des techniques d'analyse des couches épitaxiées. Cette étude a été au moyen de la caractéristique capacité-tension (C-V) de jonction P+N, et de la caractéristique tension. Les principes de deux techniques seront décrits. Les résultats expérimentaux obtenus seront discutés tout en montrant les avantages et limitation de chacune des deux méthodes. En plus, la caractéristique C-²-V conduit à la détermination de la valeur moyenne de la concentration Nd des impuretés dopantes et de la grandeur V intercepté. Enfin, la dernière partie est relative à l'étude du transitoire V(t) destinée à fournir une représentation acceptable de la durée de vie des porteurs minoritaires. La méthode utilisée est l'OCVD "OPEN-CIRCUIT-VOLTAGE-DECAY". A partir de l'analyse des résultats de cette méthode, nous déterminons expérimentalement les durées de vie correspondant au haut niveau d'injection et au bas niveau d'injection.

Réservation

Réserver ce document

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M005685	M005685	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Mémoire de Magister	Disponible	Autre	Consultation sur place/Téléchargeable

Documents numériques

SAIGHI.Houria.pdf URL