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Conception des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C / Taibi, Abdelkader 

Public ISBD Titre : Conception des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C Type de document : texte imprimé Auteurs : Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2009 Importance : 89 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : 1 CD-ROM Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2009 Bibliogr. [2] f. Annexes [5] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Télécommunications;  Amplificateur;  Micro-onde  --  Conception;  Transistors  linéaire Index. décimale : M004409 Résumé : Ces dernières années, le développement de la téléphonie mobile a conduit à un essor très important du secteur des télécommunications dans les domaines numérique et analogique. En ce qui concerne le segment analogique des systèmes, un des aspects réside essentiellement dans la fonction d’amplification de puissance en émission. Dans ce cadre, le travail présenté dans ce mémoire consiste à concevoir, selon la topologie cascade et la topologie diviseur combineur, des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C à la fréquence de 2 GHz. Les paramètres de conception sont déterminés en considérant que le transistor est un dispositif linéaire et les circuits passifs sont à constantes localisées, semi localisées et réparties. Nous montrerons par les résultats que la conception ainsi effectuée est valable malgré le fait de supposer le transistor linéaire. Notre travail est organisé en cinq chapitres: Dans le premier chapitre nous présenterons brièvement des modèles non linéaires des transistors bipolaires et à effet de champ ainsi que les nouvelles technologies basées sur le développement des matériaux semi conducteur. Le deuxième chapitre présente les différentes classes de fonctionnement d'un amplificateur de puissance ainsi qu’une évaluation de ses performances. Nous présentons aussi quelques grandeurs caractéristiques du comportement non linéaire des amplificateurs de puissance. Puisque l’un des objectifs de ce travail est la comparaison de linéarité et de rendement entre les différentes classes de fonctionnement des amplificateurs précédents, le troisième chapitre présente une analyse des performances d’un modèle linéaire et non linéaire (modèle de Gopinath) d’amplificateur de puissance. Le quatrième chapitre est consacré à la conception des amplificateurs de puissance conventionnels pour différentes classes de fonctionnement des circuits à constantes localisées, semi localisées ou réparties. La fin de ce chapitre présente la conception du diviseur de Wilkinson. Le dernier chapitre est divisé en deux parties. La première partie présente les résultats obtenus des simulations linéaires et la deuxième partie ceux des simulations non linéaires pour les différents amplificateurs conçus. Une conclusion de ce travail sera indiquée en fin de ce mémoire. Conception des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C [texte imprimé] / Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2009 . - 89 f. : ill. ; 30 cm + 1 CD-ROM. Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2009 Bibliogr. [2] f. Annexes [5] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Télécommunications;  Amplificateur;  Micro-onde  --  Conception;  Transistors  linéaire Index. décimale : M004409 Résumé : Ces dernières années, le développement de la téléphonie mobile a conduit à un essor très important du secteur des télécommunications dans les domaines numérique et analogique. En ce qui concerne le segment analogique des systèmes, un des aspects réside essentiellement dans la fonction d’amplification de puissance en émission. Dans ce cadre, le travail présenté dans ce mémoire consiste à concevoir, selon la topologie cascade et la topologie diviseur combineur, des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C à la fréquence de 2 GHz. Les paramètres de conception sont déterminés en considérant que le transistor est un dispositif linéaire et les circuits passifs sont à constantes localisées, semi localisées et réparties. Nous montrerons par les résultats que la conception ainsi effectuée est valable malgré le fait de supposer le transistor linéaire. Notre travail est organisé en cinq chapitres: Dans le premier chapitre nous présenterons brièvement des modèles non linéaires des transistors bipolaires et à effet de champ ainsi que les nouvelles technologies basées sur le développement des matériaux semi conducteur. Le deuxième chapitre présente les différentes classes de fonctionnement d'un amplificateur de puissance ainsi qu’une évaluation de ses performances. Nous présentons aussi quelques grandeurs caractéristiques du comportement non linéaire des amplificateurs de puissance. Puisque l’un des objectifs de ce travail est la comparaison de linéarité et de rendement entre les différentes classes de fonctionnement des amplificateurs précédents, le troisième chapitre présente une analyse des performances d’un modèle linéaire et non linéaire (modèle de Gopinath) d’amplificateur de puissance. Le quatrième chapitre est consacré à la conception des amplificateurs de puissance conventionnels pour différentes classes de fonctionnement des circuits à constantes localisées, semi localisées ou réparties. La fin de ce chapitre présente la conception du diviseur de Wilkinson. Le dernier chapitre est divisé en deux parties. La première partie présente les résultats obtenus des simulations linéaires et la deuxième partie ceux des simulations non linéaires pour les différents amplificateurs conçus. Une conclusion de ce travail sera indiquée en fin de ce mémoire.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M004409A	M004409	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible
M004409B	M004409	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS / Taibi, Abdelkader 

Public ISBD Titre : Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2017 Importance : 149 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2017 Bibliogr. f. 135 - 140 . Annexes f. 142 - 147 Langues : Français (fre) Mots-clés : CMOS Amplificateur  faible  bruit Filtre Multistandards Ultra  large  bande LDO Index. décimale : D000417 Résumé : Le but de ce travail est la conception de deux amplificateurs à faible bruit en technologie CMOS 0.18μm pour des applications sans fil. Le premier est un amplificateur multistandards dont la fréquence de travail s’étale de 1.9 GHz jusqu’à 2.4 GHz. Le deuxième est un amplificateur large bande opérant dans le spectre 3.1-10.6 GHz, qui répond à trois critères fondamentaux fixés par la FFC (Federal Communications Commission) où sa sélectivité a été améliorée en ajoutant à son entrée un filtre ULB (Ultra Large Bande) conçu, en technologie micro-ruban, avec une méthode novatrice que nous avons développée et mise en œuvre. Les deux amplificateurs ont été conçus selon la topologie à dégénérescence inductive et selon la technique d’optimisation puissance-bruit. Le premier possède un facteur de bruit NF<2.7 dB, un gain atteint 23.5 dB, des coefficients de réflexion d’entrée et de sortie S11<-12dB et S22<-13 dB et un produit d’intermodulation d’ordre trois IIP3>-3 dBm. Le deuxième est caractérisé par NFmin=2.55 dB, S21max=16 dB, S11<-7.5 dB et S22<-15 dB, et un facteur de sélectivité SF=0.88. Enfin, comme perspective, un régulateur de tension LDO (Low Drop-Out) intégré a été conçu dans l’objectif de fournir une source de tension stable aux cellules RF. Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS [texte imprimé] / Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2017 . - 149 f. : ill. ; 30 cm + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2017 Bibliogr. f. 135 - 140 . Annexes f. 142 - 147 Langues : Français (fre) Mots-clés : CMOS Amplificateur  faible  bruit Filtre Multistandards Ultra  large  bande LDO Index. décimale : D000417 Résumé : Le but de ce travail est la conception de deux amplificateurs à faible bruit en technologie CMOS 0.18μm pour des applications sans fil. Le premier est un amplificateur multistandards dont la fréquence de travail s’étale de 1.9 GHz jusqu’à 2.4 GHz. Le deuxième est un amplificateur large bande opérant dans le spectre 3.1-10.6 GHz, qui répond à trois critères fondamentaux fixés par la FFC (Federal Communications Commission) où sa sélectivité a été améliorée en ajoutant à son entrée un filtre ULB (Ultra Large Bande) conçu, en technologie micro-ruban, avec une méthode novatrice que nous avons développée et mise en œuvre. Les deux amplificateurs ont été conçus selon la topologie à dégénérescence inductive et selon la technique d’optimisation puissance-bruit. Le premier possède un facteur de bruit NF<2.7 dB, un gain atteint 23.5 dB, des coefficients de réflexion d’entrée et de sortie S11<-12dB et S22<-13 dB et un produit d’intermodulation d’ordre trois IIP3>-3 dBm. Le deuxième est caractérisé par NFmin=2.55 dB, S21max=16 dB, S11<-7.5 dB et S22<-15 dB, et un facteur de sélectivité SF=0.88. Enfin, comme perspective, un régulateur de tension LDO (Low Drop-Out) intégré a été conçu dans l’objectif de fournir une source de tension stable aux cellules RF.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
T000008	D000417	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable
T000007	D000417	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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