Effet du substrat semi-isolant (GAAS) sur le comportement des transitors MESFET à l'arseniure de gallium [texte imprimé] /
Zebbar Née Rezgui, Nacéra, Auteur ;
Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse . -
Bab Ezzouar : [s.n.], 1988 . - 100 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Physique des matériaux : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1988
Annexe f. 101 - 114 . Bibliogr. f. 115 - 118
Langues : Français (
fre)
| Mots-clés : |
Substrat semi-isolant
MESFET
Arséniure -- gallium |
| Index. décimale : |
M002188 |
| Résumé : |
L'étude que nous avons menée sera présentée en quatre parties:
- Dans une première partie nous exposons le problème de "l'effet de substrat" et sa relation avec la présence d'une zone de charge d'espace au niveau de l'interface couche conductrice/substrat semi-isolant.
- Dans une deuxième partie seront présentés les échantillons utilisés ainsi que leur caractérisation électrique.
- La troisième partie consistera en l'étude expérimentale du phénomène "effet de substrat".
- Dans une quatrième partie, nous essayerons d'expliquer les résultats expérimentaux et de donner un modèle expliquant l'origine de cet effet. |
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