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Thermal characterization of Si3N4 thin films using transient thermoreflectance technique / Ba, Suyuan in IEEE transactions on industrial electronics, Vol. 56 N° 8 (Août 2009) 

Public ISBD [article]  in IEEE transactions on industrial electronics > Vol. 56 N° 8 (Août 2009) . - pp. 3238 - 3243 Titre : Thermal characterization of Si3N4 thin films using transient thermoreflectance technique Type de document : texte imprimé Auteurs : Ba, Suyuan, Auteur ; Tang, Zhenan, Auteur ; Huang, Zhengxing, Auteur Article en page(s) : pp. 3238 - 3243 Note générale : Génie électrique Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Genetic  algorithms  (GAs)  Interfacial  thermal  resistance  (ITR)  Thermal  conductivity  (TC)  Transient  thermoreflectance  technique Index. décimale : 621.38 Dispositifs électroniques. Tubes à électrons. Photocellules. Accélérateurs de particules. Tubes à rayons X Résumé : In this paper, we measure the thermal conductivities (TCs) of Si3N4 thin films prepared by lower pressure chemical vapor deposition with thickness ranging from 37 to 200 nm. The measurements were made at room temperature using a transient thermoreflectance technique. A three-layer model based on the transmission-line theory and the genetic algorithms were applied to obtain the TC of thin films and the interfacial thermal resistance (ITR). The results show that the value of the TC is 1.24-2.09 Wmiddotm-1middotK-1. The ITR between the metal layer and the thin film is about 1.2 times 10-8 m2 ldr K ldr W-1. The estimated uncertainty of the TC is less than 18%. DEWEY : 621.38 ISSN : 0278-0046 En ligne : http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4957065 [article] Thermal characterization of Si3N4 thin films using transient thermoreflectance technique [texte imprimé] / Ba, Suyuan, Auteur ; Tang, Zhenan, Auteur ; Huang, Zhengxing, Auteur . - pp. 3238 - 3243. Génie électrique Langues : Anglais (eng) in IEEE transactions on industrial electronics > Vol. 56 N° 8 (Août 2009) . - pp. 3238 - 3243 Mots-clés : Genetic  algorithms  (GAs)  Interfacial  thermal  resistance  (ITR)  Thermal  conductivity  (TC)  Transient  thermoreflectance  technique Index. décimale : 621.38 Dispositifs électroniques. Tubes à électrons. Photocellules. Accélérateurs de particules. Tubes à rayons X Résumé : In this paper, we measure the thermal conductivities (TCs) of Si3N4 thin films prepared by lower pressure chemical vapor deposition with thickness ranging from 37 to 200 nm. The measurements were made at room temperature using a transient thermoreflectance technique. A three-layer model based on the transmission-line theory and the genetic algorithms were applied to obtain the TC of thin films and the interfacial thermal resistance (ITR). The results show that the value of the TC is 1.24-2.09 Wmiddotm-1middotK-1. The ITR between the metal layer and the thin film is about 1.2 times 10-8 m2 ldr K ldr W-1. The estimated uncertainty of the TC is less than 18%. DEWEY : 621.38 ISSN : 0278-0046 En ligne : http://ieeexplore.ieee.org/xpl/freeabs_all.jsp?arnumber=4957065