| Titre : | Matériaux semiconducteurs à grand gap: le carbure de silicium (SiC) (2008) |
| Auteurs : | Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | Techniques de l'ingénieur N (Vol. N3, Trimestriel) |
| Article en page(s) : | 17 p. |
| Note générale : | Bibliogr. |
| Langues : | Français |
| Tags : | SiC semi-conducteur ; Capteurs SiC/Si ; Graphène sur |
| Résumé : | D’une façon générale, le domaine d’application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l’énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600V sont apparues sur le marché en 2002, suivies en 2010 par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, nous reprenons l’état de l’art paru en 1998 en incluant des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC. |
| REFERENCE : | E1 990v2 |
| Date : | Aout 2012 |
| En ligne : | http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/materiaux-a-proprietes-electriques-et-optiques-42375210/materiaux-semiconducteurs-a-grand-gap-le-carbure-de-silicium-sic-e1990/ |
