| Titre : | Thermistances à CTP (2007) |
| Auteurs : | Nicolas Duruy, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | Techniques de l'ingénieur E (Vol. E3, Trimestriel) |
| Article en page(s) : | 10 p. |
| Langues : | Français |
| Tags : | CTP ; Thermistances ; Semiconductivité |
| Résumé : |
Définitions
1 Structures et propriétés physico-chimiques 1.1 Matériaux ferroélectriques semiconducteurs 1.11 Matériaux à structure pérovskite 1.12 Mécanisme de semiconductivité 1.2 Microstructure et relation avec l'effet CTP 2 Processus de fabrication 3 Caractéristiques électriques et thermiques 3.1 Caractéristiques en régime de dissipation nulle 3.11 Caractéristique résistance-température 3.12 Caractéristique résistance-tension 3.13 Comportement en courant alternatif 3.2 Caractéristiques en régime de dissipation 3.21 Caractéristique courant-tension 3.22 Caractéristique courant-temps 3.23 Caractéristiques thermiques 4 Applications 4.1 Utilisation de la caractéristique résistance-température 4.2 Utilisation de la caractéristique courant-tension 4.3 Utilisation de la caractéristique courant-temps Documentation |
| REFERENCE : | E 2115 |
| Date : | Septembre 1983 |
| En ligne : | http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-electronique-tiaea/archive-1/thermistances-a-ctp-e2115/ |
