| Titre : | Transistor MOS et sa technologie de fabrication (2007) |
| Auteurs : | Thomas Skotnicki, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | Techniques de l'ingénieur E (Vol. E4, Trimestriel) |
| Article en page(s) : | 37 p. |
| Langues : | Français |
| Tags : | Transistor MOS ; MOSFET ; CMOS ; Complementary Field Effect Transistor ; FET |
| Résumé : |
Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés.
Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor). |
| REFERENCE : | E 2 430 |
| Date : | FEVRIER 2000 |
| En ligne : | http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th13/technologies-des-dispositifs-actifs-42286210/transistor-mos-et-sa-technologie-de-fabrication-e2430/ |
