| Titre : | Mémoires à semi-conducteurs (2007) |
| Auteurs : | Christophe Frey, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | Techniques de l'ingénieur E (Vol. E4, Trimestriel) |
| Article en page(s) : | 12 p. |
| Langues : | Français |
| Tags : | Mémoires ; Mémoires statiques ; SRAM ; Transistors bipolaires ; dynamiques ; DRAM ; Trois transistors ; MOS ; non volatiles |
| Résumé : | Les mémoires à semi-conducteurs utilisent, comme les technologies des circuits intégrés, le silicium en tant que matériau de départ. Elles constituent un domaine privilégié où les progrès de l’intégration poussée se font sentir immédiatement. Elles ont représenté les premières applications des circuits intégrés complexes (LSI Large Scale Integration, 1 000 portes par circuit intégré) et constitueront encore des véhicules de choix pour la démonstration de faisabilité de circuits intégrés très complexes et comme composants tracteurs de la technologie. |
| REFERENCE : | E 2 490 |
| Date : | Novembre 2006 |
| En ligne : | http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th13/technologies-des-dispositifs-actifs-42286210/memoires-a-semi-conducteurs-e2490/ |
