| Titre : | Technologie silicium sur isolant (SOI) (2007) |
| Auteurs : | Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | Techniques de l'ingénieur E (Vol. E4, Trimestriel) |
| Article en page(s) : | pp. 1-24 |
| Note générale : | Électronique |
| Langues : | Français |
| Tags : | MOSFET ; Silicium sur isolant ; Multigrille ; Nanofil ; Si contraint |
| Résumé : | Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue |
| Note de contenu : | Bibiogr. |
| REFERENCE : | E 2380 |
| Date : | Août 2013 |
| En ligne : | http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th13/technologies-des-dispositifs-actifs-42286210/technologie-silicium-sur-isolant-soi-e2380/ |
