Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces [texte imprimé] /
Mahmoud Eddrief, Auteur ;
J. F. Petroff, Directeur de thèse . -
Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1984 . - 88 f. : ill. ; 27 cm.
Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1984
Bibliogr. [3] f
Langues : Français (
fre)
| Mots-clés : |
Sciences -- matériaux In₂ Se₃ Transition phase Couches minces Mobilité Transport électrique Matériaux polycristallins Photoconductivité |
| Index. décimale : |
D002484 |
| Résumé : |
L'étude des conditions de préparation des couches minces d'In₂Se₃ a permis d'obtenir des films avec une bonne stoéchiométrie pour différentes épaisseurs.
La caractérisation électrique de la transition de phase à 200°C confirme la composition des couches minces qui ont la structure de la phase α ou β selon la température d'élaboration.
On montre en analysant l'évolution des propriétés électriques en fonction de la température que la mobilité de Hall des films polycristallins d'In₂Se₃ se comporte selon le modèle de Petritz qui introduit une barrière de potentiel aux joints de grains.
La discussion est menée en comparant la largeur de déplétion à la taille du grain.
Les constantes optiques des films d'In₂Se₃ ont été déterminées dans la région du gap optique et ont été confirmées par les mesures de photoconductivité. |
Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces (1984)
