| Titre : | Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Boston : Kluwer academic publishers, 1984 |
| Format : | 88 f. / ill. / 27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1984
Bibliogr. [3] f |
| Index. décimale : | |
| Tags : | Sciences -- matériaux In₂ ; Se₃ ; Transition phase Couches minces Mobilité Transport électrique Matériaux polycristallins Photoconductivité |
| Résumé : |
L'étude des conditions de préparation des couches minces d'In₂Se₃ a permis d'obtenir des films avec une bonne stoéchiométrie pour différentes épaisseurs.
La caractérisation électrique de la transition de phase à 200°C confirme la composition des couches minces qui ont la structure de la phase α ou β selon la température d'élaboration. On montre en analysant l'évolution des propriétés électriques en fonction de la température que la mobilité de Hall des films polycristallins d'In₂Se₃ se comporte selon le modèle de Petritz qui introduit une barrière de potentiel aux joints de grains. La discussion est menée en comparant la largeur de déplétion à la taille du grain. Les constantes optiques des films d'In₂Se₃ ont été déterminées dans la région du gap optique et ont été confirmées par les mesures de photoconductivité. |
Exemplaires
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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