Titre :	Etude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p) : détermination du niveau de recombinaison
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Ratiba Outemzabet Née Houari, Auteur ; N. Kesri, Directeur de thèse
Editeur :	Bab Ezzouar : [s.n.]
Année de publication :	1987
Importance :	115 f.
Présentation :	ill.
Format :	27 cm.
Note générale :	Mémoire de Magister : Physique : Semi Conducteurs : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1987 Bibliogr. [3] f
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Longueur de diffusion Porteurs minoritaires Paramètres photovoltaïques Longueur diffusion
Index. décimale :	M005987
Résumé :	Le but des recherches sur les cellules solaires est l'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque. Il est directement lié au nombre de porteurs collectés au niveau de la jonction, c'est à dire à leur durée de vie de recombinaison ou leur longueur de diffusion. Le présent travail consiste en une étude de ces paramètres électriques, ainsi qu'à l'évaluation du niveau de recombinaison dans la base d'une structure SnO₂-Si(n+)-Si(p). Dans les semiconducteurs à large bande interdite tel que le silicium, la recombinaison des porteurs de charges excédentaires s'effectue principalement à travers les niveaux profonds. Le premier chapitre de ce mémoire nous montre brièvement l'influence de la durée de vie et de la longueur de diffusion sur les paramètres photovoltaïques. Le deuxième chapitre est consacré à la théorie des recombinaisons dans les semicomducteurs. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les méthodes de mesures les plus courantes en insistant sur celles qui sont les plus appropriées aux cellules solaires. Dans le dernier chapitre, après un exposé sur la méthode expérimentale de réalisation des échantillons, nous étudions dans un premier temps l'influence des conditions expérimentales d'orientation de la couche Si(n+) de la structure SnO₂-Si(n+)-Si(p) sur la durée de la vie des porteurs minoritaires dans la base et leur longueur de diffusion L ainsi que sur leur mobilité. Dans un deuxième temps nous étudions l'influence de la température sur la durée de la vie et nous déterminons le niveau d'énergie de recombinaison Et à partir de la théorie de Hall-Shookley-Read. Les méthodes eleistes pour la mesure des paramètres électriques sont celles basées sur l'observation du transitoire de la tension en circuit ouvert (OCVD) pour la détermination de Ƭ et la méthode photoélectrique s'effectuant à l'état stationnaire (SPV) pour la mesure de L.

Etude de la durée de vie et de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires dans les jonctions SnO2-Si(n+)-Si(p) : détermination du niveau de recombinaison [texte imprimé] / Ratiba Outemzabet Née Houari, Auteur ; N. Kesri, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1987 . - 115 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Physique : Semi Conducteurs : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1987
Bibliogr. [3] f
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Longueur de diffusion Porteurs minoritaires Paramètres photovoltaïques Longueur diffusion
Index. décimale :	M005987
Résumé :	Le but des recherches sur les cellules solaires est l'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque. Il est directement lié au nombre de porteurs collectés au niveau de la jonction, c'est à dire à leur durée de vie de recombinaison ou leur longueur de diffusion. Le présent travail consiste en une étude de ces paramètres électriques, ainsi qu'à l'évaluation du niveau de recombinaison dans la base d'une structure SnO₂-Si(n+)-Si(p). Dans les semiconducteurs à large bande interdite tel que le silicium, la recombinaison des porteurs de charges excédentaires s'effectue principalement à travers les niveaux profonds. Le premier chapitre de ce mémoire nous montre brièvement l'influence de la durée de vie et de la longueur de diffusion sur les paramètres photovoltaïques. Le deuxième chapitre est consacré à la théorie des recombinaisons dans les semicomducteurs. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les méthodes de mesures les plus courantes en insistant sur celles qui sont les plus appropriées aux cellules solaires. Dans le dernier chapitre, après un exposé sur la méthode expérimentale de réalisation des échantillons, nous étudions dans un premier temps l'influence des conditions expérimentales d'orientation de la couche Si(n+) de la structure SnO₂-Si(n+)-Si(p) sur la durée de la vie des porteurs minoritaires dans la base et leur longueur de diffusion L ainsi que sur leur mobilité. Dans un deuxième temps nous étudions l'influence de la température sur la durée de la vie et nous déterminons le niveau d'énergie de recombinaison Et à partir de la théorie de Hall-Shookley-Read. Les méthodes eleistes pour la mesure des paramètres électriques sont celles basées sur l'observation du transitoire de la tension en circuit ouvert (OCVD) pour la détermination de Ƭ et la méthode photoélectrique s'effectuant à l'état stationnaire (SPV) pour la mesure de L.