Titre :	Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse
Editeur :	[S.l.] : [s.n.]
Année de publication :	2017
Importance :	149 f.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm
Accompagnement :	1 CD-ROM.
Note générale :	Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2017 Bibliogr. f. 135 - 140 . Annexes f. 142 - 147
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	CMOS Amplificateur faible bruit Filtre Multistandards Ultra large bande LDO
Index. décimale :	D000417
Résumé :	Le but de ce travail est la conception de deux amplificateurs à faible bruit en technologie CMOS 0.18μm pour des applications sans fil. Le premier est un amplificateur multistandards dont la fréquence de travail s’étale de 1.9 GHz jusqu’à 2.4 GHz. Le deuxième est un amplificateur large bande opérant dans le spectre 3.1-10.6 GHz, qui répond à trois critères fondamentaux fixés par la FFC (Federal Communications Commission) où sa sélectivité a été améliorée en ajoutant à son entrée un filtre ULB (Ultra Large Bande) conçu, en technologie micro-ruban, avec une méthode novatrice que nous avons développée et mise en œuvre. Les deux amplificateurs ont été conçus selon la topologie à dégénérescence inductive et selon la technique d’optimisation puissance-bruit. Le premier possède un facteur de bruit NF-3 dBm. Le deuxième est caractérisé par NFmin=2.55 dB, S21max=16 dB, S11 SF=0.88. Enfin, comme perspective, un régulateur de tension LDO (Low Drop-Out) intégré a été conçu dans l’objectif de fournir une source de tension stable aux cellules RF.

Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS [texte imprimé] / Taibi, Abdelkader, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2017 . - 149 f. : ill. ; 30 cm + 1 CD-ROM.
Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2017
Bibliogr. f. 135 - 140 . Annexes f. 142 - 147
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	CMOS Amplificateur faible bruit Filtre Multistandards Ultra large bande LDO
Index. décimale :	D000417
Résumé :	Le but de ce travail est la conception de deux amplificateurs à faible bruit en technologie CMOS 0.18μm pour des applications sans fil. Le premier est un amplificateur multistandards dont la fréquence de travail s’étale de 1.9 GHz jusqu’à 2.4 GHz. Le deuxième est un amplificateur large bande opérant dans le spectre 3.1-10.6 GHz, qui répond à trois critères fondamentaux fixés par la FFC (Federal Communications Commission) où sa sélectivité a été améliorée en ajoutant à son entrée un filtre ULB (Ultra Large Bande) conçu, en technologie micro-ruban, avec une méthode novatrice que nous avons développée et mise en œuvre. Les deux amplificateurs ont été conçus selon la topologie à dégénérescence inductive et selon la technique d’optimisation puissance-bruit. Le premier possède un facteur de bruit NF-3 dBm. Le deuxième est caractérisé par NFmin=2.55 dB, S21max=16 dB, S11 SF=0.88. Enfin, comme perspective, un régulateur de tension LDO (Low Drop-Out) intégré a été conçu dans l’objectif de fournir une source de tension stable aux cellules RF.