| Titre : | Technologie silicium sur isolant (SOI) : réf. internet E 2380 |
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| Auteurs : | Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Paris : Techniques de l'ingénieur, 2013 |
| Format : | p. 93 - 118 |
| Note générale : | Bibliogr. p. 117 - 118 |
| Langues : | Français |
| Tags : | Mosfet Silicium sur isolant Multigrille Nanofil |
| Note de contenu : |
Sommaire :
1. Synthèse des matériaux 2. Avantages fondamentaux 3. Dispositifs 4. Caractérisation des structures 5. Transistors mos à déplétion totale 6. Transistors partiellement déplétés 7. Miniaturisation des composants 8. Architectures innovantes pour transistors soi ultimes 9. Défis 10. Conclusion |
Exemplaires
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|
| aucun exemplaire |
