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Contribution à l'étude théorique de la structure et de la thermodynamique des interfaces métal liquide-vapeur dans le cas des métaux simples / Said Amokrane 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude théorique de la structure et de la thermodynamique des interfaces métal liquide-vapeur dans le cas des métaux simples Type de document : texte imprimé Auteurs : Said Amokrane, Auteur ; J. P. Badiali, Directeur de thèse Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1980 Importance : 85 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Physiques : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1980 Bibliogr. f. 86 - 88 . Annexe [7] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Etude  théorique  --  structure Thermodynamique  --  interfaces Interfaces  métal  liquide-vapeur Métaux  simples Densité  ionique Energie  de  surface Index. décimale : D002080 Résumé : L'objet de ce travail est une tentative pour traiter de façon autocohérente la thermodynamique et la structure de l'interface métal liquide-vapeur. Dans le premier chapitre nous présentons quelques résultats théoriques concernant aussi bien les liquides simple que les métaux. Pour ces derniers nous exposons brièvement et discutons les deux approches les plus récentes qui sont constituées par la théorie des pseudo-atomes et l'ensemble des travaux issus du formalisme de la fonctionnelle de la densité. Le second chapitre est une analyse quantitative du modèle des pseudo-atomes et particulièrement de l'influence de la forme du profil ionique et électronique sur ses prévisions concernant l'énergie de surface et la tension superficielle. Les bases théoriques du modèle que nous proposons sont détaillées dans le chapitre III. L'équation permettant de calculer le profit de concentration ionique y est établie. Dans le cas particulier ou l'on peut négliger la taille des ions ainsi que leur corrélation, le profil obéit à une équation de POISSON-BOLTZMANN analogue à celle trouvée dans d'autres domaines faisant intervenir des particules chargées. Une méthode de résolution de cette équation est proposée dans le chapitre IV. Dans le suivant le profil est calculé en tenant compte de la dimension des ions et d'un modèle pour leur corrélation. Le dernier chapitre est consacré au calcul des propriétés thermodynamiques associées aux différents profils, et à une discussion de certaines relations entre grandeurs thermodynamiques et structure. Contribution à l'étude théorique de la structure et de la thermodynamique des interfaces métal liquide-vapeur dans le cas des métaux simples [texte imprimé] / Said Amokrane, Auteur ; J. P. Badiali, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1980 . - 85 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Physiques : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1980 Bibliogr. f. 86 - 88 . Annexe [7] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Etude  théorique  --  structure Thermodynamique  --  interfaces Interfaces  métal  liquide-vapeur Métaux  simples Densité  ionique Energie  de  surface Index. décimale : D002080 Résumé : L'objet de ce travail est une tentative pour traiter de façon autocohérente la thermodynamique et la structure de l'interface métal liquide-vapeur. Dans le premier chapitre nous présentons quelques résultats théoriques concernant aussi bien les liquides simple que les métaux. Pour ces derniers nous exposons brièvement et discutons les deux approches les plus récentes qui sont constituées par la théorie des pseudo-atomes et l'ensemble des travaux issus du formalisme de la fonctionnelle de la densité. Le second chapitre est une analyse quantitative du modèle des pseudo-atomes et particulièrement de l'influence de la forme du profil ionique et électronique sur ses prévisions concernant l'énergie de surface et la tension superficielle. Les bases théoriques du modèle que nous proposons sont détaillées dans le chapitre III. L'équation permettant de calculer le profit de concentration ionique y est établie. Dans le cas particulier ou l'on peut négliger la taille des ions ainsi que leur corrélation, le profil obéit à une équation de POISSON-BOLTZMANN analogue à celle trouvée dans d'autres domaines faisant intervenir des particules chargées. Une méthode de résolution de cette équation est proposée dans le chapitre IV. Dans le suivant le profil est calculé en tenant compte de la dimension des ions et d'un modèle pour leur corrélation. Le dernier chapitre est consacré au calcul des propriétés thermodynamiques associées aux différents profils, et à une discussion de certaines relations entre grandeurs thermodynamiques et structure.

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Simulation numérique de la propagation d'ondes sismiques dans les mileiux stratifiés à deux et trois dimensions / Laurence Martineau-Nicoletis

Public ISBD Titre : Simulation numérique de la propagation d'ondes sismiques dans les mileiux stratifiés à deux et trois dimensions : contribution à la construction et à l'interprétation des sismogrammes synthétiques Type de document : texte imprimé Auteurs : Laurence Martineau-Nicoletis, Auteur ; G. Grau, Directeur de thèse Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1981 Importance : 288 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Docteur Ingénieur : Génie Civil : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1981 Annexe f. A 1 - A 49 . Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Ondes  sismique Milieux  stratifiés Sismogrammes  synthétiques Ondes  numériques Milieu  homogène Index. décimale : D001981 Résumé : La méthode des différences finies est utilisée depuis longtemps (Alterman, 1968) pour obtenir des sismogrammes synthétiques à 2 ou 3 dimensions. L'objet de cette thèse est: - Le contrôle et l'amélioration des schémas en différences finies. - La détermination des pas de calcul nécessaires pour obtenir une précision donnée sur les solutions numériques du sismogramme. - L'application à un exemple simple permettant d'interpréter les différentes arrivées du sismogramme synthétique et de tester les résultats du traitement sismique appelé couramment "sommation en couverture multiple". Simulation numérique de la propagation d'ondes sismiques dans les mileiux stratifiés à deux et trois dimensions : contribution à la construction et à l'interprétation des sismogrammes synthétiques [texte imprimé] / Laurence Martineau-Nicoletis, Auteur ; G. Grau, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1981 . - 288 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Docteur Ingénieur : Génie Civil : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1981 Annexe f. A 1 - A 49 . Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Ondes  sismique Milieux  stratifiés Sismogrammes  synthétiques Ondes  numériques Milieu  homogène Index. décimale : D001981 Résumé : La méthode des différences finies est utilisée depuis longtemps (Alterman, 1968) pour obtenir des sismogrammes synthétiques à 2 ou 3 dimensions. L'objet de cette thèse est: - Le contrôle et l'amélioration des schémas en différences finies. - La détermination des pas de calcul nécessaires pour obtenir une précision donnée sur les solutions numériques du sismogramme. - L'application à un exemple simple permettant d'interpréter les différentes arrivées du sismogramme synthétique et de tester les résultats du traitement sismique appelé couramment "sommation en couverture multiple".

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Contributions à l'étude des systèmes paraboliques / Youkana, Amar 

Public ISBD Titre : Contributions à l'étude des systèmes paraboliques Type de document : texte imprimé Auteurs : Youkana, Amar, Auteur ; Brezis, Haim, Directeur de thèse Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1986 Importance : 38 f. Format : 30 cm. Note générale : Thèse d’État : Mathématiques Appliquées : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986 Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Systèmes  paraboliques  ;  Équations  --  réactions-diffusion  ;  Équations  aux  dérives  partielles  non-linéaires Index. décimale : D000686 Résumé : Dans ce travail, on s'intéresse à l'étude de l’existence globale et du comportement à l'infini des solutions de certains systèmes de réaction-diffusion provenant de la modélisation de phénomènes chimiques et biochimiques. Les méthodes utilisées dans cette étude sot généralement basées sur des propriétés d'effet régularisant de l'équation de la chaleur et sur des estimations C¹ pour des problèmes paraboliques semi-linéaires. D'autres techniques ont été élaborées pour donner quelques résultats partiels à propos d'un problème particulier qui n'est pas résolu par les méthodes précédentes. Contributions à l'étude des systèmes paraboliques [texte imprimé] / Youkana, Amar, Auteur ; Brezis, Haim, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1986 . - 38 f. ; 30 cm. Thèse d’État : Mathématiques Appliquées : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986 Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Systèmes  paraboliques  ;  Équations  --  réactions-diffusion  ;  Équations  aux  dérives  partielles  non-linéaires Index. décimale : D000686 Résumé : Dans ce travail, on s'intéresse à l'étude de l’existence globale et du comportement à l'infini des solutions de certains systèmes de réaction-diffusion provenant de la modélisation de phénomènes chimiques et biochimiques. Les méthodes utilisées dans cette étude sot généralement basées sur des propriétés d'effet régularisant de l'équation de la chaleur et sur des estimations C¹ pour des problèmes paraboliques semi-linéaires. D'autres techniques ont été élaborées pour donner quelques résultats partiels à propos d'un problème particulier qui n'est pas résolu par les méthodes précédentes.

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Etude et contribution à la réalisation d'un système d'E.A.O. / Ali-Rachedi, Abderrahmane 

Public ISBD Titre : Etude et contribution à la réalisation d'un système d'E.A.O. : l'éditeur arlequin-diane Type de document : texte imprimé Auteurs : Ali-Rachedi, Abderrahmane, Auteur Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1985 Importance : 156 f. Format : 27 cm. Note générale : Thèse d’État: Informatique : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1985 Bibliogr. f. 157 - 162 Langues : Français (fre) Mots-clés : Enseignement  ;  Assisté  --  Ordinateur  ;  Éditeur  ;  Arlequin-Diane Index. décimale : D000885 Résumé : Cette étude cherche à mettre en relief d'une part les principes de base qui régissent le fonctionnement du système DIANE et d'autre part les caractéristiques du système DIANE et d'autre part les caractéristiques de l'éditeur ARLEQUIN et leurs conséquences sur les choix techniques de réalisation tant dans l'aspect externe (dialogues avec l'auteur) qu'interne (analyse syntaxique, interfaçage avec DIANE). Mais, au delà de la réalisation de DIANE et d'ARLEQUIN-DIANE, la production des didacticiels avec tout ce qu'elle implique, de la part des auteurs de créativité, de rigueur et de méthodes . Etude et contribution à la réalisation d'un système d'E.A.O. : l'éditeur arlequin-diane [texte imprimé] / Ali-Rachedi, Abderrahmane, Auteur . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1985 . - 156 f. ; 27 cm. Thèse d’État: Informatique : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1985 Bibliogr. f. 157 - 162 Langues : Français (fre) Mots-clés : Enseignement  ;  Assisté  --  Ordinateur  ;  Éditeur  ;  Arlequin-Diane Index. décimale : D000885 Résumé : Cette étude cherche à mettre en relief d'une part les principes de base qui régissent le fonctionnement du système DIANE et d'autre part les caractéristiques du système DIANE et d'autre part les caractéristiques de l'éditeur ARLEQUIN et leurs conséquences sur les choix techniques de réalisation tant dans l'aspect externe (dialogues avec l'auteur) qu'interne (analyse syntaxique, interfaçage avec DIANE). Mais, au delà de la réalisation de DIANE et d'ARLEQUIN-DIANE, la production des didacticiels avec tout ce qu'elle implique, de la part des auteurs de créativité, de rigueur et de méthodes .

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Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma / Akani, Mohamed 

Public ISBD Titre : Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et propriétés électriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Akani, Mohamed, Auteur ; Suryanarayanan, R., Directeur de thèse Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1986 Importance : 242 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse d’État : Science des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986 Annexe f. 243 - 249 . Bibliogr. f. 251 - 255 Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium  --  polycristallin  ;  Plasma  ;  Propriétés  --  électriques Index. décimale : D000886 Résumé : Dans le but de réduire le cout de fabrication des photopiles à base de silicium, nous avons choisi la technique de la projection plasma (TPP). Cette technique nous a permis d'obtenir des rubans auto supportés ou supportés sur différents substrats avec une vitesse de croissance de 5mm/mn sur une surface de 1 cm² et cela à partir de la poudre de silicium. Pour une température du substrat de silicium supérieure à 800° c, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas C, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas contraire. Pour obtenir des dépôts de meilleure qualité, nous avons procédé à une optimisation systématique des paramètres de la projection. Les dépôts contiennent entre 2 et 4 % de porosité. La densité est de 98 % en moyenne, la résistivité de 1 ohm cm, la mobilité de hall de 5 cm²/V.s et passent respectivement à 99,6 % , 0,01 ohm cm et 40 cm/V.s, après recuit thermique à 1250° C pendant 10 h. la recristallisation par bombardement électronique (RBE) élimine la porosité et fait passer la rétivité de 1 oHm cm, la mobilité de 5 cm²/V.s à 311 cm²/V.s et nombre de porteurs de charges de 3.10¹⁸ cm⁻³ à 10¹⁷ cm⁻³. L'analyse quantitative des impuretés dans la poudre et les dépôts après chaque étape de traitement a montré que les pièces mécaniques (broyeur,tamis, distributeur de poudre) contaminent la poudre essentiellement en Fe (755 ppm),Ni (140 ppm),AL (90 PPM), tI (55 PPM). Les régions d'oxydes observées dans les dépôts obtenus à l'air semblent éliminées dans les dépôts obtenu sous atmosphère contrôlée. Les propriétés électroniques évleunt avec le dopage "in situ " au bore et au phosphore et obéissent au modèle de piégeage au joint de grains. La croissance des couches CVD sur nos dépôts de silicium élimine la porosité, ces couches ont une résistivité moyenne de 70 ohm cm, une mobilité de hall de plus de 80 cm²/V.S et un nombre de porteurs de charges de 2.10¹⁵ cm⁻³ ,elles possèdent également une orientation préférentielle suivant l'axe (200). La photoconductivité s'effectue essentiellement par les porteurs majoritaires, l'énergie du gap est de 1,12 eV. Nous avons réalisé des diodes Schottky pour les mesures de longueur de diffusion LBIC, ces longueurs sont de 12 um en moyenne pour les dépôts plasma et de 28 cm pour les couches CVD. Obtenus par TTP,les dépôts de similicuir peuvent servir de substrats, après RBR ou dépôt CVD, pour réaliser des piles solaires. Elaboration du silicium polycristallin par projection plasma : microstructure et propriétés électriques [texte imprimé] / Akani, Mohamed, Auteur ; Suryanarayanan, R., Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1986 . - 242 f. : ill. ; 27 cm. Thèse d’État : Science des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie : 1986 Annexe f. 243 - 249 . Bibliogr. f. 251 - 255 Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium  --  polycristallin  ;  Plasma  ;  Propriétés  --  électriques Index. décimale : D000886 Résumé : Dans le but de réduire le cout de fabrication des photopiles à base de silicium, nous avons choisi la technique de la projection plasma (TPP). Cette technique nous a permis d'obtenir des rubans auto supportés ou supportés sur différents substrats avec une vitesse de croissance de 5mm/mn sur une surface de 1 cm² et cela à partir de la poudre de silicium. Pour une température du substrat de silicium supérieure à 800° c, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas C, la croissance est colonnaire, elle est lamellaire dans le cas contraire. Pour obtenir des dépôts de meilleure qualité, nous avons procédé à une optimisation systématique des paramètres de la projection. Les dépôts contiennent entre 2 et 4 % de porosité. La densité est de 98 % en moyenne, la résistivité de 1 ohm cm, la mobilité de hall de 5 cm²/V.s et passent respectivement à 99,6 % , 0,01 ohm cm et 40 cm/V.s, après recuit thermique à 1250° C pendant 10 h. la recristallisation par bombardement électronique (RBE) élimine la porosité et fait passer la rétivité de 1 oHm cm, la mobilité de 5 cm²/V.s à 311 cm²/V.s et nombre de porteurs de charges de 3.10¹⁸ cm⁻³ à 10¹⁷ cm⁻³. L'analyse quantitative des impuretés dans la poudre et les dépôts après chaque étape de traitement a montré que les pièces mécaniques (broyeur,tamis, distributeur de poudre) contaminent la poudre essentiellement en Fe (755 ppm),Ni (140 ppm),AL (90 PPM), tI (55 PPM). Les régions d'oxydes observées dans les dépôts obtenus à l'air semblent éliminées dans les dépôts obtenu sous atmosphère contrôlée. Les propriétés électroniques évleunt avec le dopage "in situ " au bore et au phosphore et obéissent au modèle de piégeage au joint de grains. La croissance des couches CVD sur nos dépôts de silicium élimine la porosité, ces couches ont une résistivité moyenne de 70 ohm cm, une mobilité de hall de plus de 80 cm²/V.S et un nombre de porteurs de charges de 2.10¹⁵ cm⁻³ ,elles possèdent également une orientation préférentielle suivant l'axe (200). La photoconductivité s'effectue essentiellement par les porteurs majoritaires, l'énergie du gap est de 1,12 eV. Nous avons réalisé des diodes Schottky pour les mesures de longueur de diffusion LBIC, ces longueurs sont de 12 um en moyenne pour les dépôts plasma et de 28 cm pour les couches CVD. Obtenus par TTP,les dépôts de similicuir peuvent servir de substrats, après RBR ou dépôt CVD, pour réaliser des piles solaires.

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Approche thermodynamique de l'organisation moléculaire de la phase liquide du toluène sous pression / Khalida Bouzar 

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Etude cinétique de la polymérisation photochimique du méthacrylate de méthyle en présence d'agents complexants organochloroaluminiques / El-Bahri Sakri 

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Stabilité numérique de l'algorithme du GRG / Nadia Rahmani Ep. Gasmi 

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Aptitude des argiles et autres matières premières à la fabrication de granulats légers / Gérard Cougny 

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Etude pétrologique et minéralogique des éclogites de liset (Stadlandet, Norvege) / Sid Ali Kechid 

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Etude théorique d'une pompe à anneau liquide / Mohammed Nadjib Hafidi 

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Conception d'un accélérateur linéaire d'électrons autofocalisant / Salah Haddab 

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Influence des impuretés sur la formation et le mode de la décharge dans le SF6 comprimé en polarité positive / Brahim Senouci 

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Phases sulfures dans une zéolithe Y pour l'hydrotraitement / Pierre Leyrit

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Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces / Mahmoud Eddrief 

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