| Titre : |
Contribution à l'analyse et à l'amélioration des performances des amplificatuers distribués et à ondes progressives |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse |
| Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
| Année de publication : |
2002 |
| Importance : |
65 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002
Bibliogr. f. 66 - 69 . - Annexe f. 70 - 103 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Télécommunications
Performances des amplificateurs
Ondes progressives
Transistor MESFET |
| Index. décimale : |
D000402 |
| Résumé : |
Les amplificateurs distribués et à ondes progressives à transistors MESFET GaAs sont utilisés dans le domaine des micro-ondes.
Leurs différentes méthodes d'analyse imposent certaines hypothèses simplificatrices, ce qui réduit, dans une certaine mesure, leur précision.
Par contre, la nouvelle méthode, que nous avons développée, est basée sur les ondes de répartition et n'émet aucune hypothèse.
Elle s'applique aussi à des circuits quelconques.
Sa précision et son caractère général, par rapport aux autres méthodes, ont été mis en évidence sur des cas réels.
De plus, nous avons pu améliorer de 3 dB le gain en puissance de l'amplificateur distribué en tirant profit des ondes réfléchies dues aux terminaisons intermédiaires.
Un autre modèle d'amplificateur, associant un transistor MESFET à une ligne active, est proposé.
Comparativement à l'amplificateur distribué et avec le même nombre de transistors, ce nouveau modèle présente un gain en puissance plus élevé.
Nous avons également conçu et réalisé un amplificateur distribué et un amplificateur à ondes progressives à deux transistors chacun, avec un gain de 3 dB et une bande passante de 18 GHz. |
| En ligne : |
www.intranet.enp.edu |
Contribution à l'analyse et à l'amélioration des performances des amplificatuers distribués et à ondes progressives [texte imprimé] / Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2002 . - 65 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002
Bibliogr. f. 66 - 69 . - Annexe f. 70 - 103 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Télécommunications
Performances des amplificateurs
Ondes progressives
Transistor MESFET |
| Index. décimale : |
D000402 |
| Résumé : |
Les amplificateurs distribués et à ondes progressives à transistors MESFET GaAs sont utilisés dans le domaine des micro-ondes.
Leurs différentes méthodes d'analyse imposent certaines hypothèses simplificatrices, ce qui réduit, dans une certaine mesure, leur précision.
Par contre, la nouvelle méthode, que nous avons développée, est basée sur les ondes de répartition et n'émet aucune hypothèse.
Elle s'applique aussi à des circuits quelconques.
Sa précision et son caractère général, par rapport aux autres méthodes, ont été mis en évidence sur des cas réels.
De plus, nous avons pu améliorer de 3 dB le gain en puissance de l'amplificateur distribué en tirant profit des ondes réfléchies dues aux terminaisons intermédiaires.
Un autre modèle d'amplificateur, associant un transistor MESFET à une ligne active, est proposé.
Comparativement à l'amplificateur distribué et avec le même nombre de transistors, ce nouveau modèle présente un gain en puissance plus élevé.
Nous avons également conçu et réalisé un amplificateur distribué et un amplificateur à ondes progressives à deux transistors chacun, avec un gain de 3 dB et une bande passante de 18 GHz. |
| En ligne : |
www.intranet.enp.edu |
|
D000100 
Ajouter le résultat dans votre panier
Visionner les documents numériques
Faire une suggestion Affiner la rechercheContribution à l'analyse et à l'amélioration des performances des amplificatuers distribués et à ondes progressives (2002)
