Titre : |
Amplificateur à trés large bande à transistors |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Madi, A., Auteur ; Sansal, Boualem, Directeur de thèse |
Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
Année de publication : |
1969 |
Importance : |
48 f. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
27 cm. |
Note générale : |
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique. Télécommunications : Université d'Alger. École Nationale Polytechnique : 1969 |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Transistor
Ligne à retard
Amplificateur distribué |
Index. décimale : |
PN00669 |
Résumé : |
Ce travail comporte deux parties:
* La première est consacrée à des notions élémentaires sur les transistors: circuits équivalent en basses et haute fréquences, puis un rappel des propriétés fondamentales de la ligne artificielle de transmission.
* La deuxième partie est consacrée à l'étude détaillée de l'amplificateur distribué proprement dit. |
Amplificateur à trés large bande à transistors [texte imprimé] / Madi, A., Auteur ; Sansal, Boualem, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1969 . - 48 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique. Télécommunications : Université d'Alger. École Nationale Polytechnique : 1969 Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Transistor
Ligne à retard
Amplificateur distribué |
Index. décimale : |
PN00669 |
Résumé : |
Ce travail comporte deux parties:
* La première est consacrée à des notions élémentaires sur les transistors: circuits équivalent en basses et haute fréquences, puis un rappel des propriétés fondamentales de la ligne artificielle de transmission.
* La deuxième partie est consacrée à l'étude détaillée de l'amplificateur distribué proprement dit. |
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