| Titre : | Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium |
| Auteurs : | Nadine Belfihadj, Auteur ; Fateh Hellal, Directeur de thèse ; Faouzi Kezzoula, Directeur de thèse |
| Type de document : | document électronique |
| Editeur : | [S.l.] : [s.n.], 2020 |
| Format : | 1 fichier PDF (4.7 Mo) / ill. |
| Note générale : |
Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 Bibliogr. f. 83 - 88 |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | PL00420 |
| Tags : | Hétérojonction Photovoltaïque Silicium amorphe hydrogéné a-Si:H AFORS-HET |
| Résumé : |
Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur
un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface. |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Spécialité | Etat_Exemplaire |
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| PL00420 | Ressources électroniques | Bibliothèque centrale | Projet Fin d'Etudes | Disponible | Metallurgie | Téléchargeable |
Documents numériques (1)
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BELFIHADJ.Nadine.pdf URL
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