| Titre : | Technologies MOS |
| Titre de série : | Le transistor MOS, Fascicule 3 |
| Auteurs : | Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | [S.l.] : [s.n.], 1975 |
| Format : | 66 f. / ill. / 30 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique Bibliogr. f. 66 |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | PA00475(2) |
| Tags : | Transistor MOS Micro électronique Technologies MOS |
| Résumé : |
La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs. |
| Titre précédent : |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Spécialité | Etat_Exemplaire |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PA00475(2) | Papier + ressource électronique | Bibliothèque centrale | Projet Fin d'Etudes | Disponible | Genie_Electrique | Consultation sur place/Téléchargeable |
Documents numériques (1)
|
BENALI.Mohamed.pdf URL
|
