Titre de série :	Le transistor MOS, Fascicule 3
Titre :	Technologies MOS
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse
Editeur :	[S.l.] : [s.n.]
Année de publication :	1975
Importance :	66 f.
Présentation :	ill.
Format :	30 cm.
Note générale :	Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975 Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique Bibliogr. f. 66
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Transistor MOS Micro électronique Technologies MOS
Index. décimale :	PA00475(2)
Résumé :	La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.

Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS [texte imprimé] / Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1975 . - 66 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 66
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Transistor MOS Micro électronique Technologies MOS
Index. décimale :	PA00475(2)
Résumé :	La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.