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Contribution à la conception des amplificateurs large bande en technologie CMOS / Abdelhalim Slimane 

Public ISBD Titre : Contribution à la conception des amplificateurs large bande en technologie CMOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Abdelhalim Slimane, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse ; Mohand Tahar Belaroussi, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2012 Importance : 105 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique : 2012 Bibliogr. f. 106 - 110. Annexes f. 111 - 116 Langues : Français (fre) Mots-clés : Electronique;  CMOS  Amplificateur  distribué;  Filtre  de  Chebyshev;  Filtre  de  Butterworth  UWB  LNA;  Adaptation  large  bande;  Faible  tension;  Faible  consommation  de  puissance Index. décimale : D002012 Résumé : Cette thèse porte sur la conception des amplificateurs larges bandes intégrés en technologie CMOS pour répondre aux contraintes de coût, d’encombrement et de performances. Dans ce contexte, nous avons proposé en premier lieu une nouvelle méthode pour améliorer la bande passante de l’amplificateur distribué, et ce, en substituant les cellules à K-constant par les filtres de Chebyshev et Butterworth. Ainsi, une amélioration de la bande passante de +28 % a été enregistrée par rapport à la méthode conventionnelle. Ensuite, pour bénéficier des avantages de l’amplificateur distribué à un seul étage non-adapté en termes de bande passante et de réduction de taille, nous avons proposé son intégration en technologie CMOS 0.18𝜇m pour remédier à sa particularité de dimensionnement développé en discret. Enfin, vu l’intérêt que connaît la technologie Ultra-Wide-Band (UWB) depuis sa normalisation en 2002, nous avons opté pour la conception d’un amplificateur UWB à faible bruit et à basse tension d’alimentation pour les applications sans-fils. Pour cet objectif, notre conception s’est basée sur une configuration multi-étages qui nous a permis d’abaisser la tension d’alimentation tout en offrant de bonnes performances comparables avec l’état de l’art. Contribution à la conception des amplificateurs large bande en technologie CMOS [texte imprimé] / Abdelhalim Slimane, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse ; Mohand Tahar Belaroussi, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2012 . - 105 f. : ill. ; 30 cm + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique : 2012 Bibliogr. f. 106 - 110. Annexes f. 111 - 116 Langues : Français (fre) Mots-clés : Electronique;  CMOS  Amplificateur  distribué;  Filtre  de  Chebyshev;  Filtre  de  Butterworth  UWB  LNA;  Adaptation  large  bande;  Faible  tension;  Faible  consommation  de  puissance Index. décimale : D002012 Résumé : Cette thèse porte sur la conception des amplificateurs larges bandes intégrés en technologie CMOS pour répondre aux contraintes de coût, d’encombrement et de performances. Dans ce contexte, nous avons proposé en premier lieu une nouvelle méthode pour améliorer la bande passante de l’amplificateur distribué, et ce, en substituant les cellules à K-constant par les filtres de Chebyshev et Butterworth. Ainsi, une amélioration de la bande passante de +28 % a été enregistrée par rapport à la méthode conventionnelle. Ensuite, pour bénéficier des avantages de l’amplificateur distribué à un seul étage non-adapté en termes de bande passante et de réduction de taille, nous avons proposé son intégration en technologie CMOS 0.18𝜇m pour remédier à sa particularité de dimensionnement développé en discret. Enfin, vu l’intérêt que connaît la technologie Ultra-Wide-Band (UWB) depuis sa normalisation en 2002, nous avons opté pour la conception d’un amplificateur UWB à faible bruit et à basse tension d’alimentation pour les applications sans-fils. Pour cet objectif, notre conception s’est basée sur une configuration multi-étages qui nous a permis d’abaisser la tension d’alimentation tout en offrant de bonnes performances comparables avec l’état de l’art.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D002012B	D002012	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable
D002012A	D002012	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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Study and wide band characterization of nanometric materials on SOI / Yasmina Atrouche 

Public ISBD Titre : Study and wide band characterization of nanometric materials on SOI Type de document : texte imprimé Auteurs : Yasmina Atrouche, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse ; Mohand Tahar Belaroussi, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2018 Importance : 125 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique : 2018 Bibliogr. f. 107 - 122 . Annexe f. 124 - 125 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Bandpass  filter  (BPF)  ;  High  temperature  ;  Millimete-wave  ;  Minimum  insertion  loss  ;  Porous  silicon  (PSi) Index. décimale : D001218 Résumé : In this thesis, new variants of porous silicon (PSi) substrates have been introduced. Through RF performance measurements, the proposed PSi substrates have been compared with different silicon-based substrates, namely, standart silicon (Std), trap-rich (TR) and hiqh resistivity (HR). All of the mebtioned substrates have been fabricated where indentical samples of CPW lines have been integrated on and characterization to the millimeter wave frequencies (70 GHzà was performed. The new PSi substrates have shown successful reduction in the substrate's effective relative permittivity to values as low as 3.5 and great increase in the effective resistivity to values higher than 7 kΩ.cm As a concept proof, a millimeter-wave bandpass filter (MBPF) centered at 27 GHz has integrated on the investigated substrares. Compared with the conventional MBPF implemented on standard silicon-based substrates, the measured S-parameters of the PSi-based MBPF have shown high filtering performance, such as, a reduction in insertion loss and an enhancement of the filter selectivity. Having obtained the same filter performance by varing the temperarure the efficiency of the proposed PSi substrates has been well highlighted. Study and wide band characterization of nanometric materials on SOI [texte imprimé] / Yasmina Atrouche, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse ; Mohand Tahar Belaroussi, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2018 . - 125 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Electronique : Alger, Ecole Nationale Polytechnique : 2018 Bibliogr. f. 107 - 122 . Annexe f. 124 - 125 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Bandpass  filter  (BPF)  ;  High  temperature  ;  Millimete-wave  ;  Minimum  insertion  loss  ;  Porous  silicon  (PSi) Index. décimale : D001218 Résumé : In this thesis, new variants of porous silicon (PSi) substrates have been introduced. Through RF performance measurements, the proposed PSi substrates have been compared with different silicon-based substrates, namely, standart silicon (Std), trap-rich (TR) and hiqh resistivity (HR). All of the mebtioned substrates have been fabricated where indentical samples of CPW lines have been integrated on and characterization to the millimeter wave frequencies (70 GHzà was performed. The new PSi substrates have shown successful reduction in the substrate's effective relative permittivity to values as low as 3.5 and great increase in the effective resistivity to values higher than 7 kΩ.cm As a concept proof, a millimeter-wave bandpass filter (MBPF) centered at 27 GHz has integrated on the investigated substrares. Compared with the conventional MBPF implemented on standard silicon-based substrates, the measured S-parameters of the PSi-based MBPF have shown high filtering performance, such as, a reduction in insertion loss and an enhancement of the filter selectivity. Having obtained the same filter performance by varing the temperarure the efficiency of the proposed PSi substrates has been well highlighted.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
T000110	D001218	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable
T000109	D001218	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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