| Titre : | Dopage local du silicium par laser à partir d’une couche de verre phosphosilicaté pour des applications photovoltaïques. |
| Auteurs : | Aya Harrache, Auteur ; Zohra Romaissa Hadj Rabeh, Auteur ; Nabil Khlifati, Directeur de thèse |
| Type de document : | document électronique |
| Editeur : | [S.l.] : [s.n.], 2026 |
| Format : | 1 fichier PDF (1.5 Mo) / ill. |
| Note générale : |
Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie. Génie des Matériaux : Alger, École Nationale Polytechnique : 2026 Bibliogr. p.64-65 |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | PL01026 |
| Tags : | Dopage laser Phosphore Silicium monocristallin de type Photovoltaïque Résistance carrée ECV AFM |
| Résumé : |
Dans le contexte du développement des technologies photovoltaïques à haut rendement,
le contrôle précis du dopage du silicium constitue un défi majeur. Ce travail porte sur l’étude du dopage local du silicium au phosphore par irradiation laser en utilisant une couche de verre phosphosilicaté (PSG) comme source de dopant. Une fine couche de PSG a été déposée sur le substrat de silicium à haute température, et l’activation du dopant (phosphore) a été réalisée par irradiation laser pulsée infrarouge sous différentes conditions de puissance, de fréquence et de vitesse de balayage. Les échantillons traités ont été caractérisés à l’aide de différentes techniques, notamment la mesure de la résistance carrée par la méthode des quatre pointes, l’analyse de la morphologie de surface par microscopie à force atomique (AFM), ainsi que la mesure du profil de dopant actif à l’aide de la technique ECV. L’objectif principal de cette étude est de valider le dopage local du silicium par laser et d’analyser l’influence des paramètres laser sur la diffusion des dopants dans le silicium, la modification de la morphologie de surface ainsi que la variation des propriétés électriques. Les résultats obtenus démontrentle potentiel de cette approche pour optimiser la formation de régions sélectivement dopées de type (n+ ) destinées aux cellules solaires photovoltaïques avancée |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Spécialité | Etat_Exemplaire | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EP01108 | PL01026 | Ressources électroniques | Bibliothèque centrale | Projet Fin d'Etudes | Disponible | Génie_des_Matériaux | Téléchargeable |
