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Détail de l'auteur
Auteur Sylvie Contreras
Documents disponibles écrits par cet auteur
Affiner la rechercheMatériaux semi-conducteurs à grand gap / Jean Camassel
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Titre : Matériaux semi-conducteurs à grand gap : SiC : réf. internet E 1990 Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur ; Robert, Jean-Louis, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2012 Importance : p. 299 - 313 Note générale : Bibliogr. p. 311 - 313 Langues : Français (fre) Mots-clés : semi-conducteurs Note de contenu : Sommaire :
1. Matériaux sic
2. Technologies de mise en œuvre
3. Applications
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Matériaux semi-conducteurs à grand gap : SiC : réf. internet E 1990 [texte imprimé] / Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur ; Robert, Jean-Louis, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2012 . - p. 299 - 313.
Bibliogr. p. 311 - 313
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semi-conducteurs Note de contenu : Sommaire :
1. Matériaux sic
2. Technologies de mise en œuvre
3. ApplicationsExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
in Techniques de l'ingénieur : matériaux fonctionnels Ti580. Matériaux à propriétés électriques et optiques / Gérard Béranger
Titre : Matériaux semi-conducteurs à grand gap : SiC : réf. internet E1990 Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur ; Robert, Jean-Louis, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 1998 Importance : p. 317 - 330 Note générale : Bibliogr. p. 329 - 330 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériaux semi-conducteurs
Technologies -- œuvreNote de contenu : Sommaire:
1. Matériau SiC
2. Technologies de mise en œuvre
3. Applications
in Techniques de l'ingénieur : matériaux fonctionnels Ti580. Matériaux à propriétés électriques et optiques / Gérard Béranger
Matériaux semi-conducteurs à grand gap : SiC : réf. internet E1990 [texte imprimé] / Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur ; Robert, Jean-Louis, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 1998 . - p. 317 - 330.
Bibliogr. p. 329 - 330
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Matériaux semi-conducteurs
Technologies -- œuvreNote de contenu : Sommaire:
1. Matériau SiC
2. Technologies de mise en œuvre
3. ApplicationsExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire Matériaux semiconducteurs à grand gap: le carbure de silicium (SiC) / Jean Camassel in Techniques de l'ingénieur N, Vol. N3 (Trimestriel)
in Techniques de l'ingénieur N > Vol. N3 (Trimestriel) . - 17 p.
Titre : Matériaux semiconducteurs à grand gap: le carbure de silicium (SiC) Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur Année de publication : 2008 Article en page(s) : 17 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : SiC semi-conducteur; Capteurs SiC/Si; Graphène sur SiC Résumé : D’une façon générale, le domaine d’application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l’énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600V sont apparues sur le marché en 2002, suivies en 2010 par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, nous reprenons l’état de l’art paru en 1998 en incluant des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC. REFERENCE : E1 990v2 Date : Aout 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/materiaux-a- [...] [article] Matériaux semiconducteurs à grand gap: le carbure de silicium (SiC) [texte imprimé] / Jean Camassel, Auteur ; Sylvie Contreras, Auteur . - 2008 . - 17 p.
Bibliogr.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur N > Vol. N3 (Trimestriel) . - 17 p.
Mots-clés : SiC semi-conducteur; Capteurs SiC/Si; Graphène sur SiC Résumé : D’une façon générale, le domaine d’application privilégié du carbure de silicium (SiC) est la distribution de l’énergie électrique avec une forte valeur ajoutée dans les composants de puissance. Les premières diodes Schottky 600V sont apparues sur le marché en 2002, suivies en 2010 par des transistors MOS et JFET. Dans cet article, nous reprenons l’état de l’art paru en 1998 en incluant des applications électroniques récentes, comme la croissance de graphène sur SiC. REFERENCE : E1 990v2 Date : Aout 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/materiaux-a- [...]
