| Titre : |
Etude et conception d'amplificateurs distribués de puissance en classe A |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Moussaoui, Mohammed, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse |
| Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
| Année de publication : |
2004 |
| Importance : |
72 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
30 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004
Bibliogr. [2]f. . Annexe [5]f |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
ADPNU Amplificateur distribué uniforme
Coupleur de Wilkinson Signal fort en classe A |
| Index. décimale : |
M002204 |
| Résumé : |
Le but de notre travail est l'étude et la conception d'un amplificateur distribué de puissance (ADP) en classe A, à base de transistors MESFET (PHEMT) d'arséniure de Gallium (GaAs) selon les modèles linéaire ou non linéaire.
Cet ADP, qui est un dispositif micro-onde sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de giga hertz.
Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant une conception de deux ADP, reposant sur des architectures différentes uniforme et non uniforme (ADPU et ADPNU), qui permet d'augmenter la puissance en sortie en optimisant la charge.
Nous avons proposé aussi une configuration d'ADP avec le coupleur de Wilkinson pour pallier à certains facteurs limitateurs de puissance. |
Etude et conception d'amplificateurs distribués de puissance en classe A [texte imprimé] / Moussaoui, Mohammed, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2004 . - 72 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004
Bibliogr. [2]f. . Annexe [5]f Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
ADPNU Amplificateur distribué uniforme
Coupleur de Wilkinson Signal fort en classe A |
| Index. décimale : |
M002204 |
| Résumé : |
Le but de notre travail est l'étude et la conception d'un amplificateur distribué de puissance (ADP) en classe A, à base de transistors MESFET (PHEMT) d'arséniure de Gallium (GaAs) selon les modèles linéaire ou non linéaire.
Cet ADP, qui est un dispositif micro-onde sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de giga hertz.
Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant une conception de deux ADP, reposant sur des architectures différentes uniforme et non uniforme (ADPU et ADPNU), qui permet d'augmenter la puissance en sortie en optimisant la charge.
Nous avons proposé aussi une configuration d'ADP avec le coupleur de Wilkinson pour pallier à certains facteurs limitateurs de puissance. |
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M000100 
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