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Density distribution of mobile ions in the oxide of MOS structures / Bentarzi, Hamid 

Public ISBD Titre : Density distribution of mobile ions in the oxide of MOS structures Type de document : texte imprimé Auteurs : Bentarzi, Hamid, Auteur ; Ved Mitra, Directeur de thèse Editeur : Institut National d'Electricité et d'Electronique INELEC Année de publication : 1992 Importance : 144 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Electronique : Boumerdès, Institut National d'Electricité et d'Electronique INELEC : 1992 Bibliogr. f. 145 - 156 . Annexe f. 157 - 161 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Mobile  ion  --  distribution  ;  MOS  --  structures  ;  Oxides  ;  Density  --  distribution Index. décimale : M004092 Résumé : The present work aims to study the mobile ion distribution in the oxides of MOS structures. The subject is introduced with the necessary background concept of MOS structure dealing with various aspects of oxide and its charges. A review is then presented on the measuring techniques of mobile charge concentration in the oxides. This is followed by our new approaches to determine the density-distribution of the mobile ions along the oxide thickness of a MOS structure. In fact we have made two attempts each of which makes use of a different approch. In the first attempt, the equilibrium density-distribution of the mobile ions has been determined from the experimentally measured values of its flat-band voltage under three different conditions, namely, before contamination/activation, after contamination/activation and then after ion-drift due to thermal electric stressing. However in the other attempt a theoretical model for the density-dis-tribution of the mobile ions has been developed which is based on the concept that at any point in the oxide the equilibrium. Density distribution of mobile ions in the oxide of MOS structures [texte imprimé] / Bentarzi, Hamid, Auteur ; Ved Mitra, Directeur de thèse . - [S.l.] : Institut National d'Electricité et d'Electronique INELEC, 1992 . - 144 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Electronique : Boumerdès, Institut National d'Electricité et d'Electronique INELEC : 1992 Bibliogr. f. 145 - 156 . Annexe f. 157 - 161 Langues : Anglais (eng) Mots-clés : Mobile  ion  --  distribution  ;  MOS  --  structures  ;  Oxides  ;  Density  --  distribution Index. décimale : M004092 Résumé : The present work aims to study the mobile ion distribution in the oxides of MOS structures. The subject is introduced with the necessary background concept of MOS structure dealing with various aspects of oxide and its charges. A review is then presented on the measuring techniques of mobile charge concentration in the oxides. This is followed by our new approaches to determine the density-distribution of the mobile ions along the oxide thickness of a MOS structure. In fact we have made two attempts each of which makes use of a different approch. In the first attempt, the equilibrium density-distribution of the mobile ions has been determined from the experimentally measured values of its flat-band voltage under three different conditions, namely, before contamination/activation, after contamination/activation and then after ion-drift due to thermal electric stressing. However in the other attempt a theoretical model for the density-dis-tribution of the mobile ions has been developed which is based on the concept that at any point in the oxide the equilibrium.

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M004092	M004092	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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Etude des phénomènes de transport des ions mobiles dans l'oxyde des structures MOS / Bentarzi, Hamid 

Public ISBD Titre : Etude des phénomènes de transport des ions mobiles dans l'oxyde des structures MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Bentarzi, Hamid, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2004 Importance : 96 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004 Annexe f. 88 - 96. bibliogr. f. 97 - 102 Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure  MOS Caractéristiques  électriques Distribution  et  la  densité  d'ions  mobiles Méthode  du  Stress Thermo-Electrique  (BTS) Technique  du  pompage  de  charge Courant  ionique Index. décimale : D001204 Résumé : L'étude des ions mobiles dans l'oxyde est importante dans la mesure où leur présence peut affecter de façon significative les caractéristiques électriques des structures MOS. La connaissance précise de la distribution et la densité d'ions mobiles (d.i.m) dans l'oxyde serait d'une aide appréciable pour étudier leur influence sur la performance de la structure. Dans la présente recherche, une nouvelle technique de la détermination de la d.i.m employant la technique du pompage de charge associée à la méthode du Stress Thermo-Electrique (BTS) est développée. En plus, la distribution de la d.i.m est déterminée analytiquement à l'état d'équilibre et numériquement à n'importe quel état. Le modèle analytique de la d.i.m développé permet une représentation formelle du courant ionique en fonction de paramètres connus de la structure considérée. Les résultats obtenus par simulation des modèles analitiques et numérique avec ceux des mesures réalisées où déjà publiés valide les modèles proposés. Etude des phénomènes de transport des ions mobiles dans l'oxyde des structures MOS [texte imprimé] / Bentarzi, Hamid, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2004 . - 96 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004 Annexe f. 88 - 96. bibliogr. f. 97 - 102 Langues : Français (fre) Mots-clés : Structure  MOS Caractéristiques  électriques Distribution  et  la  densité  d'ions  mobiles Méthode  du  Stress Thermo-Electrique  (BTS) Technique  du  pompage  de  charge Courant  ionique Index. décimale : D001204 Résumé : L'étude des ions mobiles dans l'oxyde est importante dans la mesure où leur présence peut affecter de façon significative les caractéristiques électriques des structures MOS. La connaissance précise de la distribution et la densité d'ions mobiles (d.i.m) dans l'oxyde serait d'une aide appréciable pour étudier leur influence sur la performance de la structure. Dans la présente recherche, une nouvelle technique de la détermination de la d.i.m employant la technique du pompage de charge associée à la méthode du Stress Thermo-Electrique (BTS) est développée. En plus, la distribution de la d.i.m est déterminée analytiquement à l'état d'équilibre et numériquement à n'importe quel état. Le modèle analytique de la d.i.m développé permet une représentation formelle du courant ionique en fonction de paramètres connus de la structure considérée. Les résultats obtenus par simulation des modèles analitiques et numérique avec ceux des mesures réalisées où déjà publiés valide les modèles proposés.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D001204	D001204	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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