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Conception, modélisation et réalisation d'un capteur de pression capacitif microélectronique / Nasr Eddine Ben Moussa 

Public ISBD Titre : Conception, modélisation et réalisation d'un capteur de pression capacitif microélectronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Nasr Eddine Ben Moussa, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse Editeur : Université Paul Sabatier de Toulouse Année de publication : 1985 Importance : 126 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985 Annexe f. 129 - 145 . Bibliogr. f. 149 - 158 Langues : Français (fre) Mots-clés : Microélectronique  ;  Capteur  ;  Pressure  ;  Capacitif  ;  Micro-usinage  ;  Silicium  ;  Modélisation  ;  Technologie  ;  Capteur  --  pression  capacitif  microélectronique Index. décimale : D002385 Résumé : La réponse de membranes fines de silicium totalement encastrées à leur périphérie soumises à l'action d'une pression uniforme est modélisée en suivant une méthode semi analytique. Connaissant la déflexion en tout point, le comportement de condensateurs variables constitués par l'association d'une armature plane rigide et de membranes de ce type ayant une géométrie carrée ou rectangulaire est analysé en termes de linéarité, de sensibilité et de limitations intrinsèques. Pour valider le modèle, une structure d'étude est réalisée à partir des techniques de la microélectronique, de la gravure anisotrope du silicium et de la soudure thermoélectrique sur substrat de verre. L'étude de sa réponse confirme en grande partie les conclusions théoriques. Conception, modélisation et réalisation d'un capteur de pression capacitif microélectronique [texte imprimé] / Nasr Eddine Ben Moussa, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Paul Sabatier de Toulouse, 1985 . - 126 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985 Annexe f. 129 - 145 . Bibliogr. f. 149 - 158 Langues : Français (fre) Mots-clés : Microélectronique  ;  Capteur  ;  Pressure  ;  Capacitif  ;  Micro-usinage  ;  Silicium  ;  Modélisation  ;  Technologie  ;  Capteur  --  pression  capacitif  microélectronique Index. décimale : D002385 Résumé : La réponse de membranes fines de silicium totalement encastrées à leur périphérie soumises à l'action d'une pression uniforme est modélisée en suivant une méthode semi analytique. Connaissant la déflexion en tout point, le comportement de condensateurs variables constitués par l'association d'une armature plane rigide et de membranes de ce type ayant une géométrie carrée ou rectangulaire est analysé en termes de linéarité, de sensibilité et de limitations intrinsèques. Pour valider le modèle, une structure d'étude est réalisée à partir des techniques de la microélectronique, de la gravure anisotrope du silicium et de la soudure thermoélectrique sur substrat de verre. L'étude de sa réponse confirme en grande partie les conclusions théoriques.

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D002385	D002385	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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Microsystèmes / Daniel Estève in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 16 p. Titre : Microsystèmes Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 16 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Microsystèmes;  MST;  MEMS;  Micro  electro  mechanical  systems Résumé : Le concept de Microsystème est né, à la fin des années 1980, aux États-Unis, des actions conduites à l’université de Berkeley pour intégrer, sur une même puce de silicium, capteurs, traitement du signal et actionneurs. L’intégration de certains capteurs avec leur traitement de signal était déjà bien explorée depuis quelques années (capteurs thermiques, capteurs de vision, capteurs magnétiques de Hall...) ; la nouveauté tenait à l’intégration des actionneurs électrostatiques sous forme de moteurs rotatifs ou linéaires. Ce concept a très rapidement suscité un vif intérêt dans le monde. Appelé MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) aux États-Unis, il s’est appelé Micromachines au Japon et MST (Microsystèmes Technologies) en Europe. On utilise en France le terme de Microsystème. REFERENCE : E 2 305 Date : Aoüt 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Microsystèmes [texte imprimé] / Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur . - 2007 . - 16 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 16 p. Mots-clés : Microsystèmes;  MST;  MEMS;  Micro  electro  mechanical  systems Résumé : Le concept de Microsystème est né, à la fin des années 1980, aux États-Unis, des actions conduites à l’université de Berkeley pour intégrer, sur une même puce de silicium, capteurs, traitement du signal et actionneurs. L’intégration de certains capteurs avec leur traitement de signal était déjà bien explorée depuis quelques années (capteurs thermiques, capteurs de vision, capteurs magnétiques de Hall...) ; la nouveauté tenait à l’intégration des actionneurs électrostatiques sous forme de moteurs rotatifs ou linéaires. Ce concept a très rapidement suscité un vif intérêt dans le monde. Appelé MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) aux États-Unis, il s’est appelé Micromachines au Japon et MST (Microsystèmes Technologies) en Europe. On utilise en France le terme de Microsystème. REFERENCE : E 2 305 Date : Aoüt 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Microsystèmes / Daniel Estève

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Electronique analogique / Guillaume Bernard  Titre : Microsystèmes : réf. internet E 2305 Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2000 Importance : p. 359 - 378 Note générale : Bibliogr. p. 377 - 378 Langues : Français (fre) Mots-clés : Microsystèmes Note de contenu : Sommaire : 1. Les microsystèmes par l’exemple 2. Technologies de base des microsystèmes 3. Fonctions de base des microsystèmes 4. Applications des microsystèmes in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Electronique analogique / Guillaume Bernard  Microsystèmes : réf. internet E 2305 [texte imprimé] / Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2000 . - p. 359 - 378. Bibliogr. p. 377 - 378 Langues : Français (fre) Mots-clés : Microsystèmes Note de contenu : Sommaire : 1. Les microsystèmes par l’exemple 2. Technologies de base des microsystèmes 3. Fonctions de base des microsystèmes 4. Applications des microsystèmes

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Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement / Ahmed Chikouche 

Public ISBD Titre : Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement Type de document : texte imprimé Auteurs : Ahmed Chikouche, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse Editeur : Université Paul Sabatier de Toulouse Année de publication : 1984 Importance : 152 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1984 Annexe f. 155 - 164 . Bibliogr. f. 167 - 175 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériaux  --  composants  ;  Cellules  solaires  ;  Technologie  matériau  ;  GaAs/GaAlAs  ;  Silicium Index. décimale : D002184 Résumé : Cette étude a pour but de présenter les paramètres de conception des dispositifs photovoltaïques au Ga1-x AlxAs-GaAs et au Si à jonction diffusée. Concernant le Si, nous présentons la méthodologie mise en œuvre pour le suivi de la dégradation de la durée de vie, τn, au cours des différentes opérations de fabrication du composant. Les dégradations mesurées sont reliées aux conditions expérimentales et aux caractéristiques électriques. Dans le cas du GaAs, nous fabriquons la structure pGa1-x AlxAs (Zn)-pGaAs (Zn)-nGaAs (Sn) par E.P.L. suivant le procédé << super-cooling >>. Les couches supérieures déposées par cette technique montrent des surfaces régulières et sans rupture de croissance. Les caractéristiques électriques montrent des hétérojonctions de bonne qualité. Nous obtenons des rendements de conversion de l'ordre de 20 % sous un éclairement de 1,4 W/cm². Nous dégageons les règles de conception et de fabrication qui permettent l'élaboration des cellules à haut rendement. Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement [texte imprimé] / Ahmed Chikouche, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Paul Sabatier de Toulouse, 1984 . - 152 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1984 Annexe f. 155 - 164 . Bibliogr. f. 167 - 175 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériaux  --  composants  ;  Cellules  solaires  ;  Technologie  matériau  ;  GaAs/GaAlAs  ;  Silicium Index. décimale : D002184 Résumé : Cette étude a pour but de présenter les paramètres de conception des dispositifs photovoltaïques au Ga1-x AlxAs-GaAs et au Si à jonction diffusée. Concernant le Si, nous présentons la méthodologie mise en œuvre pour le suivi de la dégradation de la durée de vie, τn, au cours des différentes opérations de fabrication du composant. Les dégradations mesurées sont reliées aux conditions expérimentales et aux caractéristiques électriques. Dans le cas du GaAs, nous fabriquons la structure pGa1-x AlxAs (Zn)-pGaAs (Zn)-nGaAs (Sn) par E.P.L. suivant le procédé << super-cooling >>. Les couches supérieures déposées par cette technique montrent des surfaces régulières et sans rupture de croissance. Les caractéristiques électriques montrent des hétérojonctions de bonne qualité. Nous obtenons des rendements de conversion de l'ordre de 20 % sous un éclairement de 1,4 W/cm². Nous dégageons les règles de conception et de fabrication qui permettent l'élaboration des cellules à haut rendement.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D002184	D002184	Papier	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible

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