Technologie silicium sur isolant (SOI) / Sorin Cristoloveanu in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)  

Public ISBD [article]  inTechniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Titre : Technologie silicium sur isolant (SOI) Type de document : texte imprimé Auteurs : Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 23 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : MOSFET  Silicium sur isolant  Multigrille  Nanofil  Si contrain Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue REFERENCE : E 2 380 Date : Mai 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Technologie silicium sur isolant (SOI) [texte imprimé] / Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur . - 2007 . - 23 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Mots-clés : MOSFET  Silicium sur isolant  Multigrille  Nanofil  Si contrain Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue REFERENCE : E 2 380 Date : Mai 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

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Public ISBD [article]  inTechniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - pp. 1-24 Titre : Technologie silicium sur isolant (SOI) Type de document : texte imprimé Auteurs : Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : pp. 1-24 Note générale : Électronique Langues : Français (fre) Mots-clés : MOSFET  Silicium sur isolant  Multigrille  Nanofil  Si contraint Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue Note de contenu : Bibiogr. REFERENCE : E 2380 Date : Août 2013 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Technologie silicium sur isolant (SOI) [texte imprimé] / Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur . - 2007 . - pp. 1-24. Électronique Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - pp. 1-24 Mots-clés : MOSFET  Silicium sur isolant  Multigrille  Nanofil  Si contraint Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue Note de contenu : Bibiogr. REFERENCE : E 2380 Date : Août 2013 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

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Technologie silicium sur isolant (SOI) / Sorin Cristoloveanu (2013)

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard (2012)   Titre : Technologie silicium sur isolant (SOI) : réf. internet E 2380 Type de document : texte imprimé Auteurs : Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2013 Importance : p. 93 - 118 Note générale : Bibliogr. p. 117 - 118 Langues : Français (fre) Mots-clés : Mosfet Silicium sur isolant Multigrille Nanofil Note de contenu : Sommaire : 1. Synthèse des matériaux 2. Avantages fondamentaux 3. Dispositifs 4. Caractérisation des structures 5. Transistors mos à déplétion totale 6. Transistors partiellement déplétés 7. Miniaturisation des composants 8. Architectures innovantes pour transistors soi ultimes 9. Défis 10. Conclusion in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard (2012)   Technologie silicium sur isolant (SOI) : réf. internet E 2380 [texte imprimé] / Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2013 . - p. 93 - 118. Bibliogr. p. 117 - 118 Langues : Français (fre) Mots-clés : Mosfet Silicium sur isolant Multigrille Nanofil Note de contenu : Sommaire : 1. Synthèse des matériaux 2. Avantages fondamentaux 3. Dispositifs 4. Caractérisation des structures 5. Transistors mos à déplétion totale 6. Transistors partiellement déplétés 7. Miniaturisation des composants 8. Architectures innovantes pour transistors soi ultimes 9. Défis 10. Conclusion

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