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Transistors bipolaires intégrés / Jean de Pontcharra in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p. Titre : Transistors bipolaires intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean de Pontcharra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 20 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors;  Circuits  intégrés;  Métrologie;  Silicium Résumé : La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). REFERENCE : E 2 427 Date : Novembre 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Transistors bipolaires intégrés [texte imprimé] / Jean de Pontcharra, Auteur . - 2007 . - 20 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p. Mots-clés : Transistors;  Circuits  intégrés;  Métrologie;  Silicium Résumé : La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). REFERENCE : E 2 427 Date : Novembre 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Transistors bipolaires intégrés / Jean de Pontcharra

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard  Titre : Transistors bipolaires intégrés : réf. internet E 2427 Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean de Pontcharra, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 1998 Importance : p. 119 - 139 Note générale : Bibliogr. p. 139 Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors  --  bipolaires  intégrés Note de contenu : Sommaire : 1. Notions de base 2. Architectures 3. Réalisation technologique 4. Performances 5. Application aux circuits intégrés 6. Conclusion in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard  Transistors bipolaires intégrés : réf. internet E 2427 [texte imprimé] / Jean de Pontcharra, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 1998 . - p. 119 - 139. Bibliogr. p. 139 Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors  --  bipolaires  intégrés Note de contenu : Sommaire : 1. Notions de base 2. Architectures 3. Réalisation technologique 4. Performances 5. Application aux circuits intégrés 6. Conclusion

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