[article]
| Titre : |
Transistors bipolaires intégrés |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Jean de Pontcharra, Auteur |
| Année de publication : |
2007 |
| Article en page(s) : |
20 p. |
| Note générale : |
bibliogr. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Transistors Circuits intégrés Métrologie Silicium |
| Résumé : |
La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). |
| REFERENCE : |
E 2 427 |
| Date : |
Novembre 1998 |
| En ligne : |
http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] |
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p.
[article] Transistors bipolaires intégrés [texte imprimé] / Jean de Pontcharra, Auteur . - 2007 . - 20 p. bibliogr. Langues : Français ( fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p.
| Mots-clés : |
Transistors Circuits intégrés Métrologie Silicium |
| Résumé : |
La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). |
| REFERENCE : |
E 2 427 |
| Date : |
Novembre 1998 |
| En ligne : |
http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] |
|
Ajouter le résultat dans votre panier Faire une suggestion Affiner la rechercheTransistors bipolaires intégrés in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
Transistors bipolaires intégrés (1998)
