[article]
| Titre : |
Transistor MOS et sa technologie de fabrication |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Thomas Skotnicki, Auteur |
| Année de publication : |
2007 |
| Article en page(s) : |
37 p. |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Transistor MOS MOSFET CMOS Complementary Field Effect Transistor FET |
| Résumé : |
Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés.
Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor). |
| REFERENCE : |
E 2 430 |
| Date : |
FEVRIER 2000 |
| En ligne : |
http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] |
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p.
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Transistor MOS et sa technologie de fabrication in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
