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Auteur Thomas Skotnicki
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Affiner la rechercheCircuits intégrés CMOS sur silicium / Thomas Skotnicki
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Titre : Circuits intégrés CMOS sur silicium : réf. internet E 2432 Type de document : texte imprimé Auteurs : Thomas Skotnicki, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2000 Importance : p. 179 - 206 Note générale : Bibliogr. p. 206 Langues : Français (fre) Mots-clés : Circuits intégrés CMOS Note de contenu : Sommaire :
1. Problèmes d’intégration
2. Opérateurs de base logiques
3. Mémoires
4. Perspective du développement des circuits CMOS
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Circuits intégrés CMOS sur silicium : réf. internet E 2432 [texte imprimé] / Thomas Skotnicki, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2000 . - p. 179 - 206.
Bibliogr. p. 206
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Circuits intégrés CMOS Note de contenu : Sommaire :
1. Problèmes d’intégration
2. Opérateurs de base logiques
3. Mémoires
4. Perspective du développement des circuits CMOSExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire Transistor MOS et sa technologie de fabrication / Thomas Skotnicki in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p.
Titre : Transistor MOS et sa technologie de fabrication Type de document : texte imprimé Auteurs : Thomas Skotnicki, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 37 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor MOS; MOSFET; CMOS; Complementary MOS; Field Effect Transistor; FET Résumé : Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés.
Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor).REFERENCE : E 2 430 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Transistor MOS et sa technologie de fabrication [texte imprimé] / Thomas Skotnicki, Auteur . - 2007 . - 37 p.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p.
Mots-clés : Transistor MOS; MOSFET; CMOS; Complementary MOS; Field Effect Transistor; FET Résumé : Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés.
Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor).REFERENCE : E 2 430 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Titre : Transistor MOS et sa technologie de fabrication : réf. internet E 2430 Type de document : texte imprimé Auteurs : Thomas Skotnicki, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2000 Importance : p. 141 - 177 Note générale : Bibliogr. p. 177 Langues : Français (fre) Mots-clés : MOS -- transistor
MOSFET -- transistorNote de contenu : Sommaire :
1. Principe de base et structures des transistors MOS
2. Fonctionnement du transistor idéal
3. Effets correcteurs
4. Architectures des procédés et des dispositifs MOS
5. Perspective du développement du transistor MOS
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Transistor MOS et sa technologie de fabrication : réf. internet E 2430 [texte imprimé] / Thomas Skotnicki, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2000 . - p. 141 - 177.
Bibliogr. p. 177
Langues : Français (fre)
Mots-clés : MOS -- transistor
MOSFET -- transistorNote de contenu : Sommaire :
1. Principe de base et structures des transistors MOS
2. Fonctionnement du transistor idéal
3. Effets correcteurs
4. Architectures des procédés et des dispositifs MOS
5. Perspective du développement du transistor MOSExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
