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Mémoires à semi-conducteurs / Christophe Frey in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 12 p. Titre : Mémoires à semi-conducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Christophe Frey, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 12 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Mémoires;  Mémoires  statiques;  SRAM;  Transistors  bipolaires;  Mémoires  dynamiques;  DRAM;  Trois  transistors;  MOS;  Mémoires  non  volatiles Résumé : Les mémoires à semi-conducteurs utilisent, comme les technologies des circuits intégrés, le silicium en tant que matériau de départ. Elles constituent un domaine privilégié où les progrès de l’intégration poussée se font sentir immédiatement. Elles ont représenté les premières applications des circuits intégrés complexes (LSI Large Scale Integration, 1 000 portes par circuit intégré) et constitueront encore des véhicules de choix pour la démonstration de faisabilité de circuits intégrés très complexes et comme composants tracteurs de la technologie. REFERENCE : E 2 490 Date : Novembre 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Mémoires à semi-conducteurs [texte imprimé] / Christophe Frey, Auteur . - 2007 . - 12 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 12 p. Mots-clés : Mémoires;  Mémoires  statiques;  SRAM;  Transistors  bipolaires;  Mémoires  dynamiques;  DRAM;  Trois  transistors;  MOS;  Mémoires  non  volatiles Résumé : Les mémoires à semi-conducteurs utilisent, comme les technologies des circuits intégrés, le silicium en tant que matériau de départ. Elles constituent un domaine privilégié où les progrès de l’intégration poussée se font sentir immédiatement. Elles ont représenté les premières applications des circuits intégrés complexes (LSI Large Scale Integration, 1 000 portes par circuit intégré) et constitueront encore des véhicules de choix pour la démonstration de faisabilité de circuits intégrés très complexes et comme composants tracteurs de la technologie. REFERENCE : E 2 490 Date : Novembre 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Mémoires à semi-conducteurs / Christophe Frey

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard  Titre : Mémoires à semi-conducteurs : réf. internet E 2490 Type de document : texte imprimé Auteurs : Christophe Frey, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2006 Importance : p. 213 - 224 Note générale : Bibliogr. p. 224 Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteurs Note de contenu : Sommaire : 1. Classement 2. Principes de mémorisation utilisés 3. Technologie des mémoires 4. Quelques exemples de mémoires 5. Conclusion in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard  Mémoires à semi-conducteurs : réf. internet E 2490 [texte imprimé] / Christophe Frey, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2006 . - p. 213 - 224. Bibliogr. p. 224 Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteurs Note de contenu : Sommaire : 1. Classement 2. Principes de mémorisation utilisés 3. Technologie des mémoires 4. Quelques exemples de mémoires 5. Conclusion

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